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중국 반도체 기업들의 국내 반도체 산업에 대한 추격이 가팔라지면서 그 격차가 좁혀지고 있다.

5일 업계에 따르면 대만 디지털 전문 매체 디지타임즈(digitimes)는 중국 창신메모리(CXMT)가 연내 17나노(㎚) D램을 양산할 계획이라고 보도했다.

창신메모리는 지난해 9월 D램 양산을 처음 공식화한 메모리 반도체 기업이다. 연내 양산할 계획인 17나노 D램은 삼성전자가 지난 2017년 11월 내놓은 2세대 10나노급(1y) D램으로 추정하고 있다.

이 경우 중국과 국내 반도체 산업의 기술 수준 격차가 3년으로 좁혀지는 것이다. 지난해 초 1y D램을 양산한 SK하이닉스와는 2년 차이다.

앞서 중국 양쯔메모리(YMTC)도 지난달 10일 자사 홈페이지를 통해 128단 낸드 개발에 성공했다고 밝혔다. 이르면 올 연말 양산에 나설 전망이다.

이밖에도 중국 시장조사업체 시노(CINNO) 리서치에 따르면 중국 화웨이 산하 반도체 기업인 하이실리콘은 화웨이 스마트폰의 AP 자급률을 90%까지 끌어올렸고, 5G 통합칩 시장에서 삼성과 겨루고 있다.

때문에 한국과 중국의 반도체산업 초격차 유지에 대한 의구심이 나오고 있다.

지난달 29일 삼성전자 실적발표 컨퍼런스콜에서 중국 기업과의 초격차 유지 전략을 묻는 질문이 나오기도 했다.

이에 대해 삼성 측은 “단순 양산 시기보다는 고객사 수요를 만족할 수 있는 고부가 제품을 얼마나 안정적으로 공급하냐가 더 중요하다"고 밝혔다.

그러면서 "중국업체의 메모리 시장 진입을 매우 중요한 모멘텀으로 본다"고 말했다.