SK하이닉스가 차세대 AI(인공지능) 메모리인 HBM4E(고대역폭메모리) 12단 샘플을 주요 고객사에 공급했다. HBM3, HBM3E, HBM4로 이어지는 고대역폭메모리 경쟁에서 기술 주도권을 이어가고, 차세대 AI 가속기 시장을 겨냥한 고객 검증을 앞당기려는 전략이다.
SK하이닉스는 18일 차세대 AI용 초고성능 D램 신제품인 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객사들에 공급했다고 밝혔다. 회사는 그동안 축적한 HBM 선행 개발 역량과 생산 노하우를 바탕으로 HBM4E 12단 샘플을 선보였으며, 핵심 고객사들과 협력해 적기 양산을 준비하겠다고 설명했다.
이번 제품은 HBM4 대비 성능과 전력 효율을 모두 끌어올린 것이 특징이다. 핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현했고, 에너지 효율은 20% 이상 개선했다.
최신 인터페이스와 설계 최적화를 통해 데이터 전송 지연을 줄이고, 고대역폭 환경에서도 안정적인 동작이 가능하도록 설계됐다.
열 관리 기술도 강화됐다. SK하이닉스는 HBM4E에 어드밴스드 MR-MUF 공정을 적용해 12단 적층 기준 48GB 용량을 구현했다. MR-MUF는 여러 개의 반도체 칩을 쌓은 뒤 칩 사이 공간에 액체 형태의 보호재를 주입하고 굳히는 공정이다. 고층 적층 구조에서 칩 사이를 보호하고 구조 안정성을 확보하는 데 필요한 핵심 기술이다.
이번 HBM4E는 HBM4 대비 열 저항을 약 17% 낮췄다. 열 저항이 낮아지면 고성능 연산 환경에서 발생하는 열을 더 효율적으로 관리할 수 있다. AI 데이터센터와 고성능컴퓨팅 시스템은 장시간 고부하로 작동하기 때문에, 발열 제어와 안정성은 실제 성능 유지와 직결된다.
SK하이닉스는 HBM3와 HBM3E, HBM4로 이어지는 양산·공급 경험을 바탕으로 HBM4E에서도 고객 요구에 맞춘 메모리 솔루션을 제공하겠다는 계획이다.
안현 SK하이닉스 개발총괄 사장은 “파트너들과의 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현해 풀 스택 AI 메모리 크리에이터로서 기술 리더십을 공고히 하겠다”고 말했다.
SK하이닉스는 18일 차세대 AI용 초고성능 D램 신제품인 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객사들에 공급했다고 밝혔다. 회사는 그동안 축적한 HBM 선행 개발 역량과 생산 노하우를 바탕으로 HBM4E 12단 샘플을 선보였으며, 핵심 고객사들과 협력해 적기 양산을 준비하겠다고 설명했다.
이번 제품은 HBM4 대비 성능과 전력 효율을 모두 끌어올린 것이 특징이다. 핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현했고, 에너지 효율은 20% 이상 개선했다.
최신 인터페이스와 설계 최적화를 통해 데이터 전송 지연을 줄이고, 고대역폭 환경에서도 안정적인 동작이 가능하도록 설계됐다.
열 관리 기술도 강화됐다. SK하이닉스는 HBM4E에 어드밴스드 MR-MUF 공정을 적용해 12단 적층 기준 48GB 용량을 구현했다. MR-MUF는 여러 개의 반도체 칩을 쌓은 뒤 칩 사이 공간에 액체 형태의 보호재를 주입하고 굳히는 공정이다. 고층 적층 구조에서 칩 사이를 보호하고 구조 안정성을 확보하는 데 필요한 핵심 기술이다.
이번 HBM4E는 HBM4 대비 열 저항을 약 17% 낮췄다. 열 저항이 낮아지면 고성능 연산 환경에서 발생하는 열을 더 효율적으로 관리할 수 있다. AI 데이터센터와 고성능컴퓨팅 시스템은 장시간 고부하로 작동하기 때문에, 발열 제어와 안정성은 실제 성능 유지와 직결된다.
SK하이닉스는 HBM3와 HBM3E, HBM4로 이어지는 양산·공급 경험을 바탕으로 HBM4E에서도 고객 요구에 맞춘 메모리 솔루션을 제공하겠다는 계획이다.
안현 SK하이닉스 개발총괄 사장은 “파트너들과의 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현해 풀 스택 AI 메모리 크리에이터로서 기술 리더십을 공고히 하겠다”고 말했다.