삼성 반도체 기술 또 中 유출… "피해액 수십조원"

삼성전자의 반도체 기술이 또 중국에게 유출된 정황이 드러났다.

13일 법조계에 따르면 검찰은 삼성전자 출신인 김모 전 부장이 16나노급 D램 핵심 기술을 중국 반도체 업체 창신메모리에 넘긴 것으로 보고 구속영장을 청구했다.

김 전 부장은 8년 전 삼성전자를 퇴사한 후 창신메모리에 취업해 설립 초기부터 관여한 것으로 전해진다.

또 삼성전자 관계사인 반도체 장비업체 전 직원 방모씨도 기술 유출에 관여한 것으로 보고 함께 구속영장을 청구했다.

검찰은 기술 유출 단순 피해액만 수조원에 달하고, 창신메모리가 이 기술로 나노급 D램을 양산할 수 있게 돼 기술격차가 줄어든 것까지 감안하면 실제 피해액은 수십조원에 달하는 것으로 보고 있다.

이 외에도 하청업체 출신 등 실무 인력 수십명이 기술 유출에 가담한 것으로 파악했다.

앞서 국가정보원은 이들의 기술유출 정황을 포착해 지난 5월 검찰에 수사를 의뢰한 것으로 알려졌다. 김 전 부장과 방씨가 지난 10월 귀국해 수사가 진전된 것으로 전해진다. 김 전 부장과 방씨의 영장실질심사는 오는 15일 열릴 예정이다.

한편, 삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 반도체 기업 출신들의 중국 유출 정황이 지속해서 드러나고 있다.

그럼에도 삼성전자 반도체 공장 설계 도면을 빼돌려 중국에 유출한 혐의로 구속기소 된 삼성전자 전 임원이 최근 보석 허가가 나는 등 솜방망이 처벌에 그친다는 지적이 잇따르고 있다.