美, 반도체법 對中투자제한규정 공개웨이퍼당 생산규모 증가는 규제 안해
  • ▲ 자료사진. ⓒ삼성전자
    ▲ 자료사진. ⓒ삼성전자
    삼성전자와 SK하이닉스 등 국내 반도체 기업이 미국 반도체법에 따른 투자 보조금을 받으면 향후 10년간 중국에서 반도체 시설을 5% 이상 확장할 수 없게 된다. 다만 공장 시설의 부분적 업그레이드는 가능하도록 허용했다. 

    미국 상무부는 21일(현지시간) 반도체법(CHIPS Act)에서 규정한 보조금(투자 지원금)이 국가 안보를 저해하는 용도로 쓰이지 않도록 설정한 '가드레일(안전장치)' 세부 조항을 공개했다.

    미 반도체법은 보조금을 받은 기업이 10년 간 중국 내 생산 능력을 '실질적으로 확장'하면 보조금 전액을 반환해야 한다고 규정했다. 미국 보조금으로 중국이 간접적으로 수혜를 받는 경로를 완전 차단한 셈이다.

    미 상무부가 이날 공개한 세부조항에는 이 '실질적인 확장'을 양적인 생산 능력 확대로 규정했다. 첨단 반도체 경우 생산능력을 5% 이상 확장하지 못하며, 성숙 공정을 사용한 반도체는 10% 이상 늘리지 못한다.

    첨단 반도체 기준은 ▲28나노미터(㎚) 미만 로직 반도체 ▲18나노 이하 D램 ▲128단 이상 낸드플래시다. 이보다 높은 수준의 반도체를 생산할 경우 새로운 시설의 건설, 새 반도체 제조 능력추가 등을 통해 5% 이상 생산능력을 늘리지 못한다.

    다만 기술 개발을 통해 한 웨이퍼당 생산 규모를 늘리는 것은 생산 능력으로 보지 않겠다고 하면서 기술적 업그레이드에 대해서는 규제하지 않기로 했다. 삼성전자와 SK하이닉스가 현재 중국에서 생산하는 반도체는 첨단 반도체로 분류되는 만큼 5% 이상의 증설을 금지하는 규정 내에서는 부분적인 확장과 기술 업그레이드가 가능할 전망이다.