삼성-SK, 시스템반도체 투자 확대… 종합반도체 강국 도약 앞장

삼성전자와 SK하이닉스가 종합반도체 강국 도약이라는 정부 목표에 적극적인 투자 확대로 화답했다. 

정부는 13일 삼성전자 평택캠퍼스에서 'K-반도체 전략 보고대회'를 열고 종합 반도체 강국 실현을 위한 전략을 발표했다.

문재인 대통령은 이날 인사말을 통해  "민관이 힘을 모은 K-반도체 전략을 통해 글로벌 공급망 재편의 거센 파고를 넘어설 것"이라며 "메모리반도체 세계 1위의 위상을 굳건히 하고 시스템반도체까지 세계 최고가 돼 ‘2030년 종합반도체 강국’의 목표를 반드시 이뤄낼 것"이라고 말했다.

이날 발표된 ‘K-반도체 전략’은 2030년까지 510조원 이상의 민간투자와 정부 지원을 골자로 하고 있다. 구체적으로 ▲‘K-반도체 벨트’조성 ▲세제혜택 및 금융지원 ▲인프라 구축 지원 ▲인력양성·관리 강화 등이 담겼다. 

정부는 핵심기술 확보, 양산시설 확충을 위한 R&D·시설투자 세액공제가 대폭 강화돼 R&D에 최대 40~50%, 시설투자액에 대해 10~20%의 공제혜택을 부여하고 8인치 파운드리 증설, 소부장 및 첨단 패키징 시설투자 지원을 위해 '1조원+α 규모'의 반도체 설비투자 특별자금이 신설하기로 했다. 

또한 화학물질 취급시설 인·허가 신속처리 패스트트랙 도입, 수입용기 검사면제 및 방호벽 설치기준 완화, 최적가용기법 적용시 배출권 100% 할당 등 반도체 제조시설 관련 규제 합리화방안도 추진된다.

아울러 핵심전략기술 관련 반도체 제조시설의 전력 인프라 구축 시 정부·한전이 최대 50% 범위내 공동분담으로 지원하기로 했다.

이에 삼성전자와 SK하이닉스는 투자 확대를 통해 종합반도체 강국으로 도약하는데 앞장선다는 계획이다. 

우선 삼성전자는 시스템반도체 리더십 조기 확보를 위해 '시스템반도체 비전 2030' 발표 당시 수립한 133조원의 투자계획에 38조원을 추가로 투입하기로 했다. 

2022년 하반기 완공될 평택 3라인의 클린룸 규모는 축구장 25개 크기이다. 현존하는 최첨단의 기술이 적용된 팹으로 EUV 기술이 적용된 14나노 D램과 5나노 로직 제품을 양산한다. 모든 공정은 스마트 제어 시스템에 의해 전자동으로 관리된다.

평택캠퍼스는 세계 최대 규모의 반도체 클러스터로서 최첨단 제품을 양산하는 전초기지이자 글로벌 반도체 공급기지로서의 주도적 역할이 더욱 강화될 전망이다.

삼성전자는 앞으로 ▲차세대 D램에 EUV 기술을 선도적으로 적용해 나가고 

▲또 메모리와 시스템반도체를 융합한 'HBM-PIM' ▲D램의 용량 한계를 극복할 수 있는 'CXL D램' 등 미래 메모리 솔루션 기술 개발에도 박차를 가하며 '초격차 세계 1위' 위상을 강화할 계획이다.

김기남 부회장은 "한국이 줄곧 선두를 지켜온 메모리 분야에서도 추격이 거세다"며 "수성에 힘쓰기 보다는 결코 따라올 수 없는 '초격차'를 벌리기 위해 삼성이 선제적 투자에 앞장 설 것"이라고 말했다.

SK하이닉스는 국내 설비증설 및 M&A(인수합병) 등 다양한 전략적 방안을 마련해 시행한다는 방침이다. 최근 전세계적으로 비메모리 반도체 공급 부족이 심각해진 상황에서 공급 안정화 기여 및 국내 비메모리 생태계 활성화에도 나선다는 방침이다.

박정호 SK하이닉스 부회장은 이날 "현재 대비 파운드리 생산능력을 2배로 확대하는 방안을 검토하고 있다"고 밝혔다. 

SK하이닉스는  시스템 반도체, 파운드리 등 비메모리 사업 비중이 전체 매출에서 2% 수준에 불과한 전형적인 메모리 반도체 기업이다. 현재 자회사인 SK하이닉스시스템IC가 중국에서 파운드리 사업을 운영 중이고, 청주 사업장에 파운드리 설비 공간이 남아 있는 정도다. 

SK하이닉스 관계자는 "8인치 파운드리 사업에 투자해 국내 팹리스들의 개발·양산은 물론, 글로벌 시장 진출을 지원할 것"이라며 "글로벌 기업들에게는 모바일, 가전, 차량 등 반도체 제품 공급 범위를 넓힐 수 있다"고 말했다.