삼성전자, 글로벌 1위 탈환 시동 … 美 '서플라이 체인' 구축

삼성전자가 미국 정부로부터 64억 달러(약 8조 9000억 원) 규모의 반도체 보조금을 받는다. 삼성도 이에 화답해 기존 170억 달러에서 2배 이상 투자규모를 키워 텍사스 지역 반도체 공장에 450억 달러를 투입한다.

미국 상무부는 15일(현지시간) 텍사스 테일러시에 대규모 반도체 공장을 건설하고 있는 삼성전자에 64억 달러 보조금을 지급한다고 발표했다.

지나 러몬도 미 상부장관은 브리핑에서 "세계적인 첨단 반도체를 생산할 삼성의 텍사스 반도체 제조 클러스터를 지원하기 위해 '반도체법(Chips Act)'에 근거해 64억 달러의 보조금을 지원할 계획"이라고 밝혔다.

이는 앞서 보조금 규모가 확정된 인텔과 TSMC에 이어 세번째로 큰 규모다. 미 상무부는 인텔에 85억 달러, TSMC에는 66억 달러 보조금을 지급한다고 밝힌 바 있다.

당초 예상보다 삼성이 큰 규모의 보조금을 받게 된데는 그만큼 미국에서 투자를 확대하는데 따른 것으로 보인다. 삼성은 이날 보조금 확정과 함께 텍사스 지역에 기존 투자에 더해 오는 2030년까지 총 450억 달러를 투입해 반도체 클러스터를 구축할 것이라는 계획을 밝혔다. 기존 170억 달러 투자금 대비 2배 이상 늘어난 수치다.

삼성은 현재 건설 중인 테일러시의 파운드리(반도체 위탁생산) 공장에 더해 인근 지역에 200억 달러를 들여 두번째 파운드리 공장을 추가할 예정으로 알려졌다. 더불어 첨단 패키징 공장과 반도체 연구·개발(R&D) 센터도 신설한다.

삼성이 미국에 신설하는 첫번째 파운드리 공장에서는 4나노미터(nm) 제품을 생산하는 동시에 추가로 짓는 두번째 공장에선 2나노 제품까지 생산하는 방향을 구상하고 있다. 첨단 패키징 시설과 R&D센터는 오는 2027년 가동을 목표로 한다.

삼성이 당초 예상보다 미국 투자 규모를 2배 이상 키웠지만 투자금 대비 보조금 비율은 TSMC 보다 높은 수준이다. 대만 TSMC는 650억 달러를 투입해 미국 생산기지 구축에 나서지만 보조금 규모는 66억 달러로 전체 투자 규모의 10.2%에 불과하다. 삼성은 14.2%로, TSMC는 물론이고 가장 많은 보조금을 받는 인텔(8.5%) 보다 높다.

미 상무부는 이날 삼성전자에 대한 보조금 발표를 마지막으로 최첨단 비메모리(파운드리) 반도체 분야 지원금 지급을 마무리한다고 밝혔다. 미 정부가 예정했던 보조금 총액은 390억 원 규모였지만 기업들이 여기에 2배 가까운 700억 달러를 신청해 결정 과정에 어려움이 많았다고 토로하기도 했다. 이후 첨단 메모리 등 다른 분야 기업들에 지원이 이어질 것으로 보인다.

국내 투자에도 속도가 붙을 전망이다. 

미국 현지에 2나노미터(nm) 제품을 양산하며 파운드리(반도체 위탁생산) 경쟁력을 키우는 동시에 최선단 공정과 연구개발(R&D) 시설을 국내에 집중해 기술 ‘초격차’를 지키고 글로벌 반도체 1위 지위를 탈환하겠다는 구상이다.

미국에서의 추가 투자 역시 진행하지만 보조금을 수령하면서 국내외 전체 투자에 대한 자금 확보에는 다소 숨통이 트였다.

용인에는 300조원을 쏟아부어 710만㎡ 규모의 세계 최대 시스템반도체 클러스터를 조성한다. 2042년까지 300조원을 투자하는 대규모 프로젝트다. 

평택에도 289만㎡ 크기의 반도체 6개라인을 조성 중이다. 공장 하나에 30조씩 180조원이 들어간다.