CMOS 이미지 센서의 [광효율] 크게 높여 기존 센서 한계 극복
[아이소셀] 적용한 1/4인치 800만 화소 샘플 칩



[삼성전자]가 
기존 시모스(CMOS: 상보형 금속 산화막 반도체) 이미지센서의 간섭현상을
30% 이상 줄인 차세대 신기술을 개발했다고 24일 밝혔다.

아이소셀은 
화소(픽셀)와 화소 사이에 
전기가 통하지 않는 절연부를 형성해 인접한 화소들을 서로 격리시키는 새로운 구조다.

각 화소에 들어온 빛이
주변 화소에 영향을 주는 간섭현상을 최소화해 
빛의 손실을 줄인 것이 특징이며,
기존보다 간섭현상을 30% 이상 줄일 수 있다.

아이소셀을 적용한 이미지센서는 
기존의 이면조사형(BSI) 센서보다 
수광면적(센서 내 화소에서 빛을 받아들이는 부분)이 30% 가량 늘어
어두운 환경에서도 보다 선명하고 깨끗한 이미지를 얻을 수 있다.


    • 또한 센서의 두께를 줄여도
    충분한 빛을 확보할 수 있어 
    얇은 모듈을 만들 수 있다. 

    일반적으로 이미지의 화질은
    센서를 구성하는 각 화소에 모이는 빛의 양에
    큰 영향을 받는다.

    최근 CMOS 이미지센서의 칩 크기는 작아지고
    화소 수는 늘어나면서 
    화소의 크기가 계속 작아지고 있다. 

    작은 화소일수록 충분한 빛을 흡수하기 어려워
    CMOS 이미지센서 기술은 수광률(빛을 받아들이는 정도)을 높이는 방향으로 발전해 왔다. 

    기존의 이면조사형(BSI) 센서는 
    수광부를 센서의 가장 윗부분으로 옮겨
    수광률을 높여 왔으나
    이 역시 화소의 크기가 계속 작아짐에 따라
    최근 한계에 봉착했다.

    이에 따라 삼성전자가
    이번 아이소셀 신기술을 내놓게 된 것이다. 

    앞서 삼성전자는 
    지난 1월 아이소셀 기술에 대한 특허를 출원했다. 
    아이소셀을 적용한 1/4인치 800만화소 CMOS 이미지센서를 
    올 4·4분기부터 본격적으로 생산할 계획이다. 

    "이번 아이소셀 기술은
    기존 CMOS 이미지센서의 한계를 극복한 
    혁신적인 기술이다.

    아이소셀 기술을 적용한 센서를 통해 
    더 높은 수준의 화질을 원하는 소비자들의 요구를 만족시켜 나가겠다."

      - 김태훈 삼성전자 시스템LSI(대규모 집적회로) 마케팅팀 상무