국내 30조 이어, 중국 시안 2기 라인 건설 박차반도체 호황 기반 이익 극대화 및 글로벌 시장 지위 굳히기
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지난해 인텔을 제치고 글로벌 반도체 1위를 기록한 삼성전자가 올해도 통큰 투자를 통해 시장 지위를 이어갈 전망이다.

30일 관련업계에 따르면 삼성전자는 글로벌 반도체 산업 성장에 발맞춰 국내외에서 굵직한 반도체 생산설비 투자를 추진하고 있다.    

삼성전자는 내년 하반기 가동을 목표로 평택 반도체 단지에 제2생산라인을 건설할 예정이다. 투자금액만 약 30조원에 달할 것으로 전망된다.

삼성전자는 또 중국 시안 반도체 사업장에 2기 라인을 건설한다. 향후 3년간 총 7조원이 투자되는 이번 사업은 낸드플래시(V-NAND)를 필요로 하는 글로벌 IT 시장의 요구에 적극 대응하기 위해 진행된다.

특히 이번 투자를 통해 낸드플래시 최대 수요처이자 글로벌 모바일, IT업체들의 생산기지가 집중돼 있는 중국시장에서 제조 경쟁력을 더욱 강화하고 중국 시장 요구에 보다 원활히 대응할수 있을 것으로 기대하고 있다.

삼성전자의 이런 대규모 투자 결정은 슈퍼사이클에 올라탄 반도체 사업에서 이익 극대화 및 글로벌 시장 지위를 공고히 하기 위한 것으로 풀이된다. 

삼성전자는 지난해 반도체 호황에 DS부문에서 매출 108조원, 영업이익 40조3000억원을 기록한 바 있다. 특히 D램, 낸드플래시, DDI, OLED 분야에서는 점유율 1위를 차지하며 시장을 견인했다.

이에 힘입어 삼성전자는 반도체 시장에서 황제로 군림해 온 인텔을 꺾는 성과를 이뤄내기도 했다.

올해 반도체 시장도 양호한 수준을 이어갈 것이라는 전망이 나온다. 삼성전자의 주력 제품인 D램은 20%, 낸드플래시는 40% 성장이 이어질 것으로 전망되고 있다.

특히 메모리 시장은 서버용 수요 강세와 모바일 고사양화에 따라 견조한 수급세가 이어질 전망이다. 

또한 인도를 비롯한 신흥시장에서 스마트폰 보급 확산과 중저가 스마트폰 사용자들의 업그레이드에 따른 D램 수요도 발생할 것으로 전망된다. 

낸드플래시 시장은 SSD가 수요 증가를 주도할 것이라는 관측도 나온다. 공급업체들이 고용량 3D낸드 생산을 본격화하고 글로벌 기업들의 투자가 올해도 지속돼 수요는 지속될 것으로 보인다.

김기남 삼성전자 사장은 최근 주총에서 "메모리 사업은 2세대 10나노급 D램, 5세대 V낸드 등 고부가 제품을 안정적으로 확대하고, 차별화 제품으로 경쟁사와 기술격차도 확대해 나갈 예정"이라며 "파운드리 사업은 내년 세계 최초로 7나노 EUV 적용 제품 양산을 위해 공정 기술 리더십을 확보하고, 파운드리 에코시스템 구축과 고객 다변화로 경쟁력 있는 사업 기반을 마련할 방침"이라고 밝혔다.