삼성전자, TSMC 추격 '가속페달'… 파운드리 '3나노 기술개발실' 신설

삼성전자가 반도체(DS)부문 기술개발실 수장 교체와 조직개편에 나선 가운데 파운드리 분야에선 '3나노' 기술개발에 집중하는 전담 조직을 마련했다.

5일 반도체업계에 따르면 삼성전자는 최근 DS부문 임원 인사와 조직 개편의 일환으로 기존에 2개로 운영하던 파운드리사업부 기술개발실을 3개로 확대했다. 기존에는 '선단' 공정을 연구하는 조직과 '레거시' 공정을 전담해 연구하는 조직만 두고 있었는데 여기에 '3나노' 공정만 집중 개발하는 조직을 추가했다.

삼성이 이처럼 3나노 개발 조직을 신설한데는 그만큼 파운드리 사업에서 3나노로 승부를 걸겠다는 의지로 해석된다. 삼성전자는 지난해 6월 말 파운드리 1위 TSMC를 제치고 3나노 공정으로 세계 최초 양산에 성공했지만 이후 수율이나 고객사 확보 등에서 어려움을 겪으면서 3나노 공정을 고도화할 필요성이 커졌다.

현재는 삼성의 3나노도 안정적인 수율을 확보하는데 성공한 것으로 알려졌다. 다만 삼성이 업계에서 유일하게 택하고 있는 차세대 트랜지스터 구조인 게이트올어라운드(GAA)가 기존 기술인 핀펫 대비 공정이 까다롭고 아직 노하우가 쌓이지 않아 더 개발이 필요한 부분으로 꼽힌다. 삼성은 GAA 공법이 핀펫 대비 데이터 처리 속도나 전력 효율 측면에서 경쟁력이 월등히 높다는 점을 확인했기에 앞으로 2나노 공정에서도 이 기술을 주력으로 삼을 예정이다.

결국 파운드리 사업에서 3나노는 앞으로 삼성이 업계 판도를 뒤집을 수 있는 계기를 마련하는 중요한 기술이다. 내년 양산에 들어가는 3나노 2세대(SF3) 공정에 앞서 3나노 전용 기술개발 조직을 마련해 초격차에 속도를 내겠다는 의지로도 해석된다.

이외에도 삼성전자는 통상 연말 진행하는 정기 인사에 앞서 빠르게 변하는 반도체업계 변화를 선도하기 위해 '핀셋'인사와 더불어 DS조직 곳곳에 개편을 진행했다. 특히 반도체 개발부문에서 수장 교체와 더불어 신속한 조직 개편에 나선 것으로 보인다.

새로운 D램 개발실장에는 메모리사업부 마케팅팀장을 맡았던 황상준 부사장이 임명됐다. D램개발실 아래 있던 설계 1,2팀은 설계팀으로 통일됐다. 새로운 설계팀장으론 오태영 부사장이 이름을 올렸다. 설계팀 산하에는 설계그룹을 3개로 세분화하고 선행개발팀은 기존대로 유지한다. 신임 선행개발팀장으로는 유창식 부사장이 임명됐다.

파운드리사업부엔 새로운 최고기술책임자(CTO)가 탄생했다. 기술개발실장을 맡던 정기태 부사장이 CTO 자리에 앉았다. 후임 기술개발실장은 구자흠 부사장이 맡는다.