中 반도체 키우기 '속도' VS 韓 초격차 전략 '집중'

신종 코로나바이러스 감염증(코로나19) 확산으로 글로벌 반도체 시장에 먹구름이 드리우고 있지만 중국의 반도체 굴기는 빠르게 속도를 내고 있다. 

중국은 낸드플래시에 이어 D램 시장까지 진출하는 등 반도체 경쟁사들과의 기술격차에 적극 나서고 있다. 

14일 중국 현지 외신보도에 따르면 칭화유니그룹의 계열사 YMTC (Yangtze Memory Technologies)는 128단 3D NAND 플래시 개발에 성공하고 파트너사들로부터 검증을 마친 것으로 전해졌다. 

본격적인 양산은 올해 말부터 이뤄질 것으로 예상되고 있다. YMTC는 지난 2018년 32단 낸드플래시를 생산한데 이어 지난해에는 4세대급인 64단 제품 양산에 나선바 있다. 이번 128단 낸드 개발은 90단을 건너띄고 이뤄지며 32단 낸드 생산에 나선지 불과 3년만에 이뤄낸 성과다. 

또한 D램 시장에도 본격적인 진출이 이뤄지고 있다. 창신메모리가 대표적 기업으로 꼽힌다. 창신메모리는 10나노급(1x) 공정을 통해 PC용 및 스마트폰용 D램을 생산하고 있다. 여기에 투자를 늘리며 생산능력 확대도 추진하는 것으로 알려졌다.

이와 함께 파운드리에서는 SMIC가 미세공정에 공을 들이는 모습이다. 현재 파운드리 시장에서 SMIC의 점유율은 4.5% 수준을 보이고 있다. 최근에는 자국 기업인 화웨이 등 IT업계를 기반으로 규모를 키워나가는 형국이다. 중국 IT 업계는 미국의 봉쇄 조치로 인해 SMIC에 대한 의존도도 점차 높여나갈 것으로 전망되고 있다. 

SMIC는 경쟁사들에 비해 뒤쳐지긴 했지만 7나노급 공정 개발을 추진하는 것으로 알려졌다. 이를 통해 중국의 스마트폰 업체들과 협업은 지속될 것으로 예상된다. 

이 같은 중국 반도체 업계의 성장은 중국 정부의 든든한 지원하에 이뤄지고 있다. 지난해 불거진 미국과의 무역분쟁은 반도체 자립에 대한 의지를 더욱 끌어올린 형국이다. 

중국 당국은 '중국 제조 2025' 전략을 수립하고 2025년 반도체 자급률 70%를 목표로 막대한 투자에 나서고 있다. 

중국은 지난 2014년 조성한 1차 반도체 펀드(약 24조원)를 조성한데 이어 지난해 2차 펀드 자금으로 34조원 가량을 모은 것으로 전해진다. 조성된 대부분의 금액은 반도체 투자에 사용되는 것으로 알려졌다. 

다만 업계에서는 중국의 이 같은 투자에도 여전히 격차는 존재한다고 입을 모은다. 국내 기업들의 경우 자체 투자만 놓고 봐도 중국 기업들의 수준을 훨씬 넘어서는데다 기술 역시 앞서 있다는 평가다. 

특히 EUV(극자외선노광장치) 공정을 적용하며 미세공정을 무기로 초격차 전략을 이어가고 있다. 

삼성전자의 경우 지난달 EUV 공정을 적용해 4세대 10나노급(1a) D램(DDR5, LPDDR5)을 양산 체제를 구축했다. 이로써 삼성전자는 반도체 미세공정의 한계를 돌파할 채비를 갖추고 D램의 새로운 패러다임을 제시했다는 평가가 나온다.

EUV는 반도체 제조의 핵심 공정인 노광(빛을 쏴서 회로를 인쇄)에 사용되는데, 10나노 미만의 극미세 공정을 구현한다.  EUV 노광 기술을 적용하면 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝(Multi-Patterning) 공정을 줄이면서 패터닝 정확도를 높이게 돼 성능과 수율을 향상시키고 제품 개발 기간을 단축할 수 있는 장점이 있다.

이에 더해 삼성전자는 이번 EUV 공정을 적용, 내년 '4세대 10나노급(1a)' 양산을 예고하고 있다. 삼성전자는 현재 EUV 공정으로 14나노 초반대 '4세대 10나노급(1a) D램 양산 기술'을 개발하고 있으며, 향후 차세대 제품의 품질과 수율도 기존 공정 제품 이상으로 향상시킬 예정이다.