이정배 삼성전자 사장 "D램-낸드 한계 뛰어넘는다… 집적도 극한 수준 높일 것"

삼성전자는 업계 최대 수준의 집적도를 달성한 11나노급 D램과 9세대 V낸드를 개발하고 있다고 밝혔다. 

이정배 삼성전자 메모리사업부장(사장)은 17일 삼성 반도체 뉴스룸에 올린 기고문을 통해 "현재 개발 중인 11나노급 D램은 업계 최대 수준의 집적도를 달성할 것입니다. 9세대 V낸드는 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중으로, 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보했다"며 이 같이 밝혔다. 

이정배 사장은 "삼성전자는 지난 30년간 고객이 원하는 제품을 공급해야 한다는 책임감으로 업계를 리드해 왔고, 이 원칙은 지금도 유효하다"며 "우선순위의 차이는 있지만 고객은 기본적으로 고성능, 고용량, 저전력, 고객 맞춤형 그리고 원가경쟁력을 갖춘 제품을 원하기에 우리는 이 요소를 모두 충족시킬 수 있는 제품을 개발해야 한다"고 말했다. 

이 사장은 "업계 최고 용량인 32Gb DDR5 D램 개발에 성공했으며 향후 고용량 D램 라인업을 지속 확대해 1TB 용량의 모듈까지 구현할 수 있는 솔루션으로 확장해 나갈 것"이라며 "HBM은 향후 고객 맞춤형 제품까지 확장하는 등 최상의 솔루션을 공급할 것"이라고 덧붙였다. 

이와 함께 이 사장은 미래 준비를 위해 고부가 제품과 선단 공정 생산 비중을 확대하고 R&D(연구개발) 투자를 강화하겠다고 강조했다. 

이 사장은 "삼성전자는 고부가 제품과 선단 공정의 생산 비중을 높이고, 초거대 AI(인공지능) 등 신규 응용처에 대한 메모리 수요에 적기 대응해 사업의 가치를 높이는 데 집중하고 있다"며 "삼성전자 메모리 사업을 시작한 기흥캠퍼스에 첨단 반도체 R&D 라인을 구축하는 등 미래를 위한 투자를 이어갈 것"이라고 했다. 

이어 "고객과 파트너사와의 강력한 협력 관계를 구축할 것"이라며 "고객, 파트너사와의 협력을 확대해 상품기획, 기술개발, 품질 전반에 걸쳐 새로운 제품과 시장을 개척할 것"이라고 말했다.