10나노급 D램 테크 플랫폼 도입 차세대 미세 공정 기틀 마련세계 최초 16Gb DDR5 D램 출시 기반 '빅데이터·서버' 기술 우위 기여
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SK하이닉스는 미래기술연구원 담당 차선용 부사장이 지난달 21일 열린 '2023년 과학·정보통신의 날 기념식'에서 과학기술훈장 혁신장을 수상했다고 2일 밝혔다. 과학기술훈장은 국가 과학기술 발전에 기여한 이에게 수여되는 최고 영예의 상으로, 혁신장은 그 중 창조장 다음 두 번째로 상격이 높다.차 부사장의 수훈 업적은 10나노급 D램 테크 플랫폼을 도입해 다음 세대 미세 공정의 기틀을 마련하고, 2019년 당시 최고 속도인 HBM2E(High Bandwidth Memory 2 Extended)를 개발해 초고속 메모리의 발전을 주도한 것이다.또 그는 세계 최초로 16Gb DDR5 D램을 출시해 한국 반도체 산업이 빅데이터와 서버 시장 우위를 점하는 데 기여했으며, 10나노급 4세대 LPDDR4 D램 양산 시 극자외선(EUV) 노광 공정을 도입해 차세대 기술 개발의 기반을 조성했다는 평가를 받았다.차 부사장은 "이번 수상은 SK하이닉스를 대표해서 받았다고 생각하며, 지금도 다운턴 극복을 위해 애쓰고 있는 구성원과 수상의 영광을 나누고 싶다"며 "메모리는 600개 이상의 수많은 공정을 거쳐야 비로소 완성된다. 이 모든 과정을 함께한 사람들과 이뤄낸 혁신의 성과"라고 밝혔다.