10나노급 D램 테크 플랫폼 도입 차세대 미세 공정 기틀 마련세계 최초 16Gb DDR5 D램 출시 기반 '빅데이터·서버' 기술 우위 기여
  • ▲ 2023 과학기술훈장 혁신장을 수상한 SK하이닉스 미래기술연구원 담당 차선용 부사장. ⓒSK하이닉스
    ▲ 2023 과학기술훈장 혁신장을 수상한 SK하이닉스 미래기술연구원 담당 차선용 부사장. ⓒSK하이닉스
    SK하이닉스는 미래기술연구원 담당 차선용 부사장이 지난달 21일 열린 '2023년 과학·정보통신의 날 기념식'에서 과학기술훈장 혁신장을 수상했다고 2일 밝혔다. 과학기술훈장은 국가 과학기술 발전에 기여한 이에게 수여되는 최고 영예의 상으로, 혁신장은 그 중 창조장 다음 두 번째로 상격이 높다.

    차 부사장의 수훈 업적은 10나노급 D램 테크 플랫폼을 도입해 다음 세대 미세 공정의 기틀을 마련하고, 2019년 당시 최고 속도인 HBM2E(High Bandwidth Memory 2 Extended)를 개발해 초고속 메모리의 발전을 주도한 것이다.

    또 그는 세계 최초로 16Gb DDR5 D램을 출시해 한국 반도체 산업이 빅데이터와 서버 시장 우위를 점하는 데 기여했으며, 10나노급 4세대 LPDDR4 D램 양산 시 극자외선(EUV) 노광 공정을 도입해 차세대 기술 개발의 기반을 조성했다는 평가를 받았다.

    차 부사장은 "이번 수상은 SK하이닉스를 대표해서 받았다고 생각하며, 지금도 다운턴 극복을 위해 애쓰고 있는 구성원과 수상의 영광을 나누고 싶다"며 "메모리는 600개 이상의 수많은 공정을 거쳐야 비로소 완성된다. 이 모든 과정을 함께한 사람들과 이뤄낸 혁신의 성과"라고 밝혔다.