파운드리 이어 자체 기술로 HBM 개발 나서기술 격차 10년 불구 수년내 좁혀질 수도韓 반도체 수출 타격 불가피 '촉각'
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    중국이 미국의 견제에도 불구하고 미세공정에 이어 메모리 반도체 기술까지 빠르게 추격하고 있어 우려가 제기된다. 

    20일 관련업계에 따르면 중국의 대표 메모리 반도체 제조사인 창신메모리(CXMT)와 양쯔메모리(YMTC)의 자회사 우한 신신(XMC)은 자체 기술로 HBM을 개발한 것으로 알려졌다. 

    중국의 화웨이는 2026년까지 2세대 제품인 'HBM2'를 다른 자국 기업들과 생산하는 것을 계획 중이다. 

    중국 최대 낸드플래시 업체인 YMTC(양쯔메모리테크놀로지)의 자회사 XMC(우한신신)은 HBM용 12인치 웨이퍼를 월 3천장 생산할 수 있는 공장을 신설하고 있다. 해당 공장은 올해 2월 착공에 들어간 것으로 알려졌다.

    HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 적층해 데이터 처리 성능을 끌어올린 메모리로 기술적 난도가 높은 것으로 알려져 있다. HBM은 고성능 시스템반도체와 함께 사용되는데, 최근 AI 수요가 본격화되면서 새로운 먹거리로 부상하고 있다. 

    글로벌 메모리 반도체 생산 업체 가운데서는 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 3개 업체만이 상용화에 나서며 시장을 공략하고 있다. 

    지난해 중국이 고성능 7나노미터(mn) 반도체 생산을 통해 기술 자립에 성공한데 이어 HBM까지 개발에 성공하면서 반도체 굴기는 한층 거세지는 모습이다. 

    현재 한국 기업들과 중국 기업들의 HBM 기술 격차는 10년 가량 차이 나고 있는 것으로 평가 받는다. 

    국내 기업들은 지난 2016년 이미 HBM2 개발에 성공한데 이어 5세대인 'HBM3E' 양산 단계에 진입한 상태다. 2025년~2026년 6세대 'HBM4'를 양산할 것으로 보인다.

    중국 기업들은 현재 HBM2 개발에 집중하고 있어 3세대 'HBM2E' 개발까지는 수 년이 더 걸릴 수 있다. 그러나 중국이 자국산 HBM을 빠르게 흡수할 경우 기술력도 수년 내로 따라잡힐 가능성이 높다는 시각이다. 

    이런 배경에는 중국의 든든한 지원 때문이다. 중국 기업들은 실적 부진에도 투자를 크게 확대하는 상황이다. 

    대표적인 곳인 SMIC다. SMIC는 최근 실적 발표를 통해 1분기 22억3500만달러로 투입했다고 밝혔다. 이는 전년 같은 기간 12억5900만달러보다 77.5% 증가한 수준이다.

    미국반도체산업협회(SIA)의 최근 추산에 따르면 중국은 반도체 산업에 1420억 달러(약 194조7천억원) 이상의 지출을 진행 중인 것으로 분석됐다.

    또한 중국 정부는 SMIC와 화웨이 등 주요 기업에 대한 국가적 투자를 관장하기 위해 추가로 270억 달러(약 37조원) 규모의 자금을 조성한 것으로 전해졌다. 중국은 10∼30%에 불과한 반도체 자급률을 2025년까지 70%까지 높인다는 야심 찬 목표를 세우고 적극적인 지원에 나서고 있다.