9.4조원 투자하는 차세대 먹거리2027년 완공 … 4기까지 순차 조성中企 50곳과 반도체 생태계 꾸린다
  • ▲ SK하이닉스 용인 반도체 클러스터 건설 현장.ⓒSK하이닉스
    ▲ SK하이닉스 용인 반도체 클러스터 건설 현장.ⓒSK하이닉스
    SK하이닉스가 경기도 용인 반도체 클러스터에 건설하는 1기 팹(fab·반도체 생산공장)의 첫 삽을 떴다.

    25일 SK하이닉스 뉴스룸에 따르면 SK하이닉스는 전날 용인 반도체 클러스터 1기 팹의 본격 착공에 들어갔다. 다음 달부터 착공에 돌입할 계획이었으나 용인시가 예정보다 이른 지난 21일 건축을 허가하면서 착공 시점을 앞당겼다.

    용인시는 지난해 2월 SK하이닉스와 ‘생산라인 조기 착공 추진과 지역 건설산업 활성화를 위한 업무협약’을 맺고 건축허가 태스크포스(TF)를 구성하는 등 인허가 절차에 속도를 내왔다. 이후 SK하이닉스는 그해 7월 이사회 결의를 거쳐 용인 반도체 클러스터의 1기 팹과 업무 시설을 건설하는 데 약 9조4000억원을 투자하기로 결정한 바 있다. 

    용인 반도체 클러스터는 총 415만㎡ (약 126만 평) 규모 부지에 SK하이닉스 팹 약 60만 평, 소부장 업체 협력화단지 14만 평, 인프라 부지 12만 평으로 용인시 처인구 원삼면에 조성되는 반도체 산업단지다.

    SK하이닉스는 용인 클러스터에 총 4기의 팹을 순차적으로 조성할 예정이다. 1기 팹은 2027년 5월 준공을 목표로 하고 있다. 

    SK하이닉스는 용인캠퍼스를 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램 메모리 생산 거점으로 삼는다. 향후 급증하는 AI 메모리 반도체 수요에 적기에 대응해 회사의 중장기 성장 기반을 주도할 예정이다.

    더불어 클러스터 내 50여 개 반도체 소부장 기업과 함께 국내 반도체 생태계 경쟁력을 제고하는 역할도 수행할 예정이다. 

    이에 따라 국내 소부장 중소기업의 기술 개발과 실증, 평가를 돕기 위한 ‘미니팹’을 1기 팹 내부에 구축한다. 미니팹은 반도체 소부장 등을 실증하기 위해 300㎜ 웨이퍼 공정장비를 갖춘 연구시설로, 이를 통해 실제 생산 현장과 유사한 환경을 협력사에 제공해 자체 기술 완성도를 높일 수 있도록 지원한다는 방침이다.