SK하이닉스-도시바, 미세공정 한계 대비 'NIL 기술' 공동 개발

SK하이닉스(대표이사 박성욱)는 5일 일본의 도시바와 '나노 임프린트 리소그래피(Nano Imprint Lithography, 이하 NIL)' 기술 개발을 본격 시작한다. 이들 회사는 지난해 12월 이번 기술 개발과 관련한 업무협의(MOU)를 맺었다.

두 회사 기술자들은 올해 4월부터 일본 요코하마에 위치한 도시바의 팹에서 NIL 기술에 대한 공동 개발을 진행해 2017년쯤 실제 제품에 적용할 예정이다.

NIL 기술은 메모리 공정이 더욱 미세화되고 있는 가운데 미세 패턴을 구현하는데 있어 적합한 차세대 리소그래피 공정 기술로 평가 받고 있다. 막대한 투자가 선행돼야 하는 기존 공정기술과 비교해 경제적이어서 양산 체제 구축이 비교적 수월하다는 것이 장점으로 꼽힌다.

SK하이닉스 관계자는 "이번 협력을 통해 공정 미세화의 한계에 대응하기 위한 새로운 기술을 확보할 수 있게 됐다"면서 "양사가 메모리 반도체 선두 업체로의 입지를 더욱 강화할 수 있을 것으로 기대한다"고 말했다.

한편 SK하이닉스는 도시바와 오랜 협력 관계를 유지해왔다. 2007년에는 특허 상호 라이선스 계약을 체결한 바 있으며, 2011년부터는 차세대 메모리인 'STT-M램'의 공동개발을 진행하고 있다.