SK하이닉스, 中 반도체 증설… "글로벌 경쟁력 강화"

SK하이닉스가 중국 반도체 공장 증설에 나서며 경쟁력 강화에 속도를 내고 있다.

SK하이닉스는 중국 우시에서 확장팹(C2F) 준공식을 개최했다고 18일 밝혔다.

C2F는 기존 D램 생산라인인 C2를 확장한 것으로 미세공정 전환에 따른 생산공간 부족 문제를 해결하기 위해 지난 2016년 투자를 결정한 바 있다.

'새로운 도약, 새로운 미래'라는 주제로 열린 이날 준공식 행사에는 리샤오민(李小敏) 우시시 서기, 궈위엔창(郭元强) 강소성 부성장, 최영삼 상하이 총영사, 이석희 SK하이닉스 대표이사, 고객 및 협력사 대표 등 약 500명이 참석했다.

SK하이닉스는 2004년 중국 장쑤성 우시시와 현지 공장 설립을 위한 계약을 체결하고 2006년 생산라인을 완공해 D램 생산을 시작했다. 

당시 건설된 C2는 SK하이닉스의 첫 300mm 팹(FAB)으로 현재까지 SK하이닉스 성장에 큰 역할을 담당해 왔다. 하지만 공정 미세화에 따라 공정수가 늘고 장비 대형화로 공간이 부족해졌다. 

이에 SK하이닉스는 2017년 6월부터 2019년 4월까지 총 9500억원을 투입해 추가로 반도체 생산공간을 확보했다.

이번에 준공한 C2F는 건축면적 5만8천㎡(1만7500평, 길이 316m, 폭 180m, 높이 51m)의 단층 팹으로 기존 C2 공장과 비슷한 규모다. 

SK하이닉스는 C2F의 일부 클린룸 공사를 완료하고 장비를 입고해 D램 생산을 시작했다. 향후 추가적인 클린룸 공사 및 장비입고 시기는 시황에 따라 탄력적으로 결정할 예정이다.

SK하이닉스 우시FAB담당 강영수 전무는 "C2F 준공을 통해 우시 팹의 중장기 경쟁력을 확보하게 됐다"며 "C2F는 기존 C2 공장과 '원 팹(One FAB)'으로 운영 함으로써 우시 팹의 생산·운영 효율을 극대화할 것"이라고 말했다.

이를 통해 SK하이닉스는 글로벌 반도체 시장에서의 경쟁력은 한층 강화될 것으로 보인다. 

SK하이닉스의 중국에서 생산하는 D램 비중은 전체에서 약 30~40%를 차지했는데 이번 생산 라인 확대로 비중은 60~80%를 차지할 것으로 점쳐진다. 미국 마이크론과 격차는 더욱 벌어질 것으로 기대된다. 

여기에 국내에 반도체 생태계 조성에도 속도가 붙을 경우 글로벌 시장에서 초격차 유지에도 힘을 실을 수 있을 전망이다. 

SK하이닉스는 용인에 120조원을 투자, 반도체 클러스터 조성에 공을 들이고 있다. 이 사업은 반도체 팹(FAB) 4개를 건설하는 사업으로 국내외 50개 이상 장비·소재·부품 협력업체도 참여한다. 

2022년 용인 팹(FAB)이 완공되면 반도체 상생 생태계 거점으로 3각축을 구축하게 돼 경쟁력도 한층 끌어올릴 것으로 기대된다. 

SK하이닉스는 향후 이천공장을 본사기능과 R&D·마더팹(Mother FAB) 및 D램 생산기지로, 청주는 낸드플래시 중심 생산기지, 용인은 D램·차세대 메모리 생산기지 및 반도체 상생 생태계 거점으로 삼고 중장기 성장을 도모한다는 계획이다.

이를 위해 이천에는 M16 구축과 연구개발동 건설 등에 약 10년간 20조원 규모를 투자할 계획이다. 청주에는 작년부터 가동중인 M15의 생산능력확대를 포함해 약 10년간 35조원 규모의 투자를 집행한다. 

업계 관계자는 "반도체 투자를 지속적으로 펼쳐 관련 산업 강화에 기여할 것"이라고 말했다.