2020년 본격 양산 개시… 메모리 시장 리더십 강화기존 제품 대비 처리 속도 50% 향상… 4차산업 시스템 적합
  • ▲ SK하이닉스가 개발한 HBM2E D램.ⓒSK하이닉스
    ▲ SK하이닉스가 개발한 HBM2E D램.ⓒSK하이닉스
    SK하이닉스는 고대역폭 메모리인 'HBM2E' D램 개발에 성공했다고 12일 밝혔다. 

    HBM2E는 초고속 특성이 필요한 고성능 GPU를 비롯해 머신러닝과 슈퍼컴퓨터, AI등 4차산업 기반 시스템에 적합한 고사양 메모리 솔루션이다.

    SK하이닉스가 이번에 개발에 성공한 제품은 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 HBM D램의 차세대 제품으로, 이전 규격인 HBM2 대비 처리 속도를 50% 높였다.

    3.6기가비트(Gbit/s) 처리 속도를 구현할 수 있어 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 460GByte의 데이터 처리가 가능하다. 이는 FHD(Full-HD)급 영화(3.7GB) 124편 분량의 데이터를 1초에 처리할 수 있는 수준이다. 

    용량은 단일 제품 기준으로 16Gb 칩 8개를 TSV(Through Silicon Via) 기술로 수직 연결해 16GB를 구현했다.

    SK하이닉스 HBM사업전략 전준현 담당은 “SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 HBM D램을 출시한 이후 지금까지 기술 경쟁력을 바탕으로 시장을 선도해왔다"며 "HBM2E 시장이 열리는 2020년부터 본격 양산을 개시해 프리미엄 메모리 시장에서의 리더십을 지속 강화할 것"이라고 말했다.