HBM 공급… 올해 2배↑, 내년 3배 5세대 HBM3E 12단 적층 첫 성공"8단 양산 시작… HBM3E 비중 3분의 2 이상"
  • 삼성전자가 올해 고부가 D램인 HBM(고대역폭메모리) 시장에서 리더십을 찾겠다는 자신감을 내비쳤다.

    삼성전자는 30일 실적 컨퍼런스콜을 통해 "올해 HBM 공급 규모는 전년대비 3배 이상 확대되고 내년에는 올해 대비 2배 이상 증가가 예상된다"고 밝혔다. 

    삼성전자는 올해 메모리 시장의 경우 생성형 AI 관련 수요 견조세가 지속되는 가운데 일반(Conventional) 서버 및 스토리지 중심으로 수요 개선이 전망되고 시장 가격도 전반적으로 상승할 것으로 내다봤다. 

    D램 생산도 HBM에 집중해 해당 시장에서 주도권을 확보하겠다는 전략이다. 특히 2분기 중 12단 HBM3E(5세대 HBM) D램을 통해 사업 강화에 드라이브를 걸겠다는 방침이다. 

    삼성전자는 HBM3E 8단 양산에 이어 지난 2월에는 업계 최초로 36GB(기가바이트) HBM3E 12단 적층 D램 개발에 성공했다. 이는 업계 최대 용량이다.

    이 제품은 8단 적층 제품 대비 성능과 용량 모두 50% 이상 향상됐다. 초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB을 제공해 성능과 용량 모두 전작인 HBM3(4세대 HBM) 8H(8단 적층) 대비 50% 이상 개선된 제품이다.

    삼성전자는 현재 고객사에 샘플을 제공중으로 양산에 돌입하면 HBM3E 생산 비중을 높여 시장 공략에 나선다는 계획이다. 

    삼성전자는 "4월부터 HBM3E 8단 제품 양산을 시작, 2분기 말부터 매출이 발생할 것"이라며 "2분기 중 12단 제품도 생산에 돌입할 예정으로 HBM3E 비중은 3분의 2 이상에 달할 것"이라고 말했다.  

    이에 따라 삼성전자의 반도체 사업 실적 개선 속도도 한층 빨라질 것으로 보인다. 

    삼성전자는 1년만에 반도체 사업의 흑자전환에 성공했다. 반도체 사업을 영위하는 DS(디바이스솔루션)부문은 지난 1분기 매출 23조1400억원, 영업이익 1조9100억원을 기록했다.

    메모리는 지속적인 가격 상승에 대한 시장 기대감으로 전반적인 구매 수요가 강세를 보였고 지난 분기에 이어 DDR5(Double Data Rate 5) 및 고용량 SSD(Solid State Drive) 수요 강세가 이어졌다. 

    삼성전자는 ▲HBM(High Bandwidth Memory) ▲DDR5 ▲서버SSD ▲UFS4.0(Universal Flash Storage 4.0) 등 고부가가치 제품 수요에 대응하며 질적 성장을 실현했고 메모리 사업은 흑자 전환됐다. 

    삼성전자는 "올해 메모리 반도체 시장은 공급이 수요를 따라가지 못해 수급은 더욱 타이트해질 것"이라며 "DDR5 수익성도 개선될 것"이라고 덧붙였다.