작년 8월 개발 이후 10개월 만에 성과업계 최고 3.6Gbps 속도로 초당 460GB 데이터 처리AI·슈퍼컴퓨터 등 4차산업 주도할 최적의 메모리 솔루션
  • ▲ 초고속 HBM2E D램. ⓒSK하이닉스
    ▲ 초고속 HBM2E D램. ⓒSK하이닉스
    SK하이닉스는 초고속 D램인 'HBM2E'의 본격 양산에 들어갔다고 2일 밝혔다. 지난해 8월 HBM2E 개발 이후 10개월 만에 이룬 성과다.

    SK하이닉스의 HBM2E는 초당 3.6Gbps의 데이터 처리가 가능한 제품으로, 1024개의 정보출입구를 통해 1초에 460GB의 데이터를 처리할 수 있다. FHD급 영화(3.7GB) 124편을 1초에 전달할 수 있는 현존하는 가장 빠른 D램 솔루션이다. 용량도 8개의 16Gb D램 칩을 TSV 기술로 수직 연결해 이전 세대 대비 2배 이상 늘어난 16GB를 구현했다.

    초고속·고용량·저전력 특성을 지닌 HBM2E는 고도의 연산력을 필요로 하는 딥러닝 가속기(Deep Learning Accelerator), 고성능 컴퓨팅 등 차세대 인공지능(AI) 시스템에 최적화된 메모리 솔루션으로 주목 받고 있다.

    이 외에도 기상변화, 생물의학, 우주탐사 등 차세대 기초과학과 응용과학 연구를 주도할 엑사스케일 슈퍼컴퓨터(초당 100경 번 연산 수행이 가능한 고성능 컴퓨팅 시스템)에 채용될 전망이다.

    오종훈 SK하이닉스 GSM담당 부사장은 "SK하이닉스는 세계 최초로 HBM 제품을 개발하는 등 인류 문명에 기여하는 기술 혁신에 앞장서왔다"며 "이번 HBM2E 본격 양산을 계기로 4차 산업혁명을 선도하고 프리미엄 메모리 시장에서 입지를 강화할 수 있는 기회로 삼을 것"이라고 말했다.