삼성 "20나노 8기가 DDR4 서버 D램 세계 최초 양산"
SK하이닉스 "DDR4기반 16GB NVDIMM 세계 첫 구현"
  • ▲ 왼쪽부터 삼성전자의 20나노 8Gb DDR4 서버 D램과 SK하이닉스의 20나노급 4Gb DDR4를 기반으로 한 16GB NVDIMM(비휘발성 메모리 모듈). ⓒ삼성전자, SK하이닉스 제공
    ▲ 왼쪽부터 삼성전자의 20나노 8Gb DDR4 서버 D램과 SK하이닉스의 20나노급 4Gb DDR4를 기반으로 한 16GB NVDIMM(비휘발성 메모리 모듈). ⓒ삼성전자, SK하이닉스 제공

삼성전자와 SK하이닉스가 차세대 메모리인 DDR4를 놓고 한판승부를 벌이고 있다.

DDR4는 기존제품인 DDR3보다 데이터 처리속도가 2배 정도 빠르지만 전력소비는 30% 낮춘 차세대 반도체다. 

최근 PC용 서버 교체를 시작으로 DDR4에 대한 수요가 늘자 반도체 업체들은 앞다퉈 신제품을 내놓고 있다. 차세대 반도체 시장 선점을 두고 글로벌 업체인 삼성전자와 SK하이닉스의 신경전도 팽팽하다.

21일 삼성전자는 세계 최초로 20나노 8기가비트(Gb) DDR4(Double Data Rate 4) 서버 D램 양산에 성공했다고 밝혔다. 

비슷한 시각 SK하이닉스도 20나노급 4기가비트(Gb) DDR4를 기반으로 NVDIMM(Non Volatile Dual In-line Memory Module: 비휘발성 메모리 모듈) 기준 최대용량인 16GB(기가바이트) 제품을 세계 최초로 개발했다고 전했다. 
 
 
  • ▲ 왼쪽부터 삼성전자의 20나노 8Gb DDR4 서버 D램과 SK하이닉스의 20나노급 4Gb DDR4를 기반으로 한 16GB NVDIMM(비휘발성 메모리 모듈). ⓒ삼성전자, SK하이닉스 제공

    • 삼성과 SK하이닉스가 DDR4에 집중하는 이유는 시장 가능성에 있다. 

    최근 인텔 등 업체들이 신제품에 DDR4를 채택하면서 본격적으로 시장이 개화될 조짐을 보이고 있다. 업계에서는 내년쯤 시장이 열리기 시작해서 오는 2016년 이후에는 D램 시장서 DDR4가 DDR3를 대체한다는 분석이 이어지고 있다.

    IHS테크놀로지(IHS Technology)에 따르면 D램 모듈 시장에서 '서버' 부문이 차지하는 비중(수량 기준)은 올해 33%에서 내년 41%로 늘어날 전망이다. 2018년에는 62%에 이르는 등 그 중요성이 크게 확대될 것으로 보인다.

    ◇삼성, PC·모바일 이어 '서버용'까지 20나노 D램 풀라인업

    삼성전자는 20나노 8기가 DDR4 서버 D램 양산으로 PC, 모바일, 서버용까지 '20나노 D램 풀 라인업'을 갖추게 됐다.

    이날 공개된 '20나노 8기가비트 DDR4 서버 D램'은 올해 하반기 DDR4 전용 서버 CPU 출시에 맞춰 양산을 시작했다. 프리미엄 서버 시장의 기존 DDR3에서 DDR4로의 전환을 주도할 차세대 제품인 셈이다.

    삼성전자는 지난 3월 세계 최초로 20나노 PC용 D램 양산에 성공한 이후 현재까지도 유일하게 20나노 제품을 양산하고 있다. 지난 9월 모바일 D램에 이어 이번엔 서버용 D램에도 20나노 공정 적용에 성공한 것이다. 
     
    20나노 8기가비트 D램 기반의 DDR4 서버용 모듈 제품은 '고성능, 고용량, 저전력' 메모리다. 

    기존 DDR3 기반의 모듈보다 약 30% 빠른 2400Mbps를 구현하며 동작 전압은 1.2볼트(V)로 DDR3의 1.5볼트보다 낮게 작동 할 수 있다.  

    삼성전자 메모리사업부 마케팅팀 백지호 상무는 "이번 20나노 8기가비트 DDR4 D램은 차세대 서버 시스템 구축을 위한 3가지 필요 요소인 '고성능, 고용량, 저전력' 특성을 모두 만족시킨 제품"이라고 설명했다.

    삼성전자는 향후 20나노 D램의 비중을 지속 확대해 글로벌 고객의 수요 증가에 맞춰 최고 특성의 제품을 공급한다는 계획이다. 

    ◇SK하이닉스, 최대용량 비휘발성 하이브리드 D램 모듈 개발

    삼성전자가 '20나노 D램 풀 라인업'을 갖추게 됐다면 SK하이닉스는 20나노급 4Gb(기가비트) DDR4를 기반으로 한 16GB NVDIMM(비휘발성 메모리 모듈)을 세계 최초로 구현했다.

    이 제품은 기존 DDR4 모듈과 같은 성능을 구현하지만 D램과 낸드플래시 등을 결합한 제품인 점에서 차이가 있다.  

    예상치 못한 전원 손실이 발생할 경우 16GB 비휘발성 메모리 모듈은 D램의 데이터를 비휘발성 반도체인 낸드플래시로 전송한게 된다. 데이터를 안전하게 저장 및 복구할 수 있는 것이 특징이다. 

    동작전압 1.2V에서 2133Mbps의 속도를 구현했으며 64개의 정보입출구(I/O)를 가진 모듈을 통해 초당 17GB의 데이터를 처리할 수 있다.

    최근 SK하이닉스는 주요 고객에 샘플을 제공했으며 서버 및 운영체제 개발 업체들로부터 해당 제품에 대한 업계의 관심이 큰 것으로 전해졌다.
     
    SK하이닉스 DRAM개발본부장 홍성주 전무는 "세계 최초로 NVDIMM에서 최대 용량인 16GB DDR4 제품을 개발함으로써 새로운 메모리 솔루션 시장을 선도한다는 데 의의가 있다"며 "향후에도 이러한 하이브리드(Hybrid) 모듈을 지속 개발해 서버용 메모리 시장에서의 기술리더십을 강화할 것"이라고 밝혔다.
     
    이번 개발을 통해 SK하이닉스는 고용량 DDR4 시장에서의 주도권을 공고히 한다는 계획이다.  

    SK하이닉스는 DDR4 업계 최대 용량인 8Gb 단품을 바탕으로 지난 4월 세계 최대 용량인 128GB DDR4 모듈을 개발했다. 최근에는 '인텔 인증(Intel Validation)'에서 DDR4 모듈 부문에서는 유일하게 64GB 제품 인증을 완료하 바 있다.