산업부 "美칩스법, 中서 기술업그레이드는 가능"

산업통상자원부가 미국 반도체지원법의 가드레일(안전장치) 조항의 세부규정 초안에 대해 "우리 기업이 중국에서 운영하고 있는 생산 설비의 유지 및 부분적 확장은 물론 기술 업그레이드도 계속 가능할 것으로 판단된다"고 밝혔다.

산업부에 따르면 미 상무부는 전날(21일) 미국 반도체지원법상 투자 인센티브(보조금)를 수령하는 기업이 중국 등 우려대상국 내 설비확장을 제한하는 가드레일 조항의 세부규정 초안을 발표했다. 미 상부무는 해당 초안에 대해 60일간의 의견수렴 절차를 거칠 예정이다.

미 반도체지원법은 반도체 산업에 대해 527억달러를 지원하는 내용으로 인센티브를 받는 기업은 우려대상국인 중국, 북한, 러시아, 이란 내에서 향후 10년간 반도체 생산능력을 5% 이상 확장할 수 없다.

일정 사양 이하인 레거시 반도체 생산설비인 경우, 기존 설비의 생산능력 확장을 10년간 10% 미만까지 허용한다. 미국은 레거시반도체에 대해 28나노(1나노는 10억분의 1m) 이상 시스템 반도체, 128단 이상 낸드플래시, 18나노 초과 D램으로 규정했다.

또한 이번에 공개된 세부규정에는 우려대상국 내 생산설비의 기술‧공정 업그레이드를 위한 투자, 기존 설비의 운영에 필요한 장비교체 등의 투자에 대한 제한을 두지 않고 있다. 이에 따라 우리 기업은 중국에서의 생산설비 기술·공정 업그레이드를 계속 진행할 수 있게 된다.

즉, '양적인' 생산능력 확대는 5~10%의 제한을 두지만, 기술 업그레이드에 대해선 제재가 없는 것이다. 기술개발을 통해 웨이퍼(반도체 재료) 한 장당 나오는 반도체 칩의 수가 늘어나는 것에 대해선 생산능력 증대로 보지 않는다는 의미다.

산업부는 "기술 업그레이드 시, 집적도 증가를 통해 웨이퍼당 칩을 증가시킬 수 있어 기업 전략에 따라선 추가적인 생산 확대도 가능할 것"이라며 "정부는 업계와 계속 소통하면서 세부 규정의 내용을 상세히 분석할 것이고, 이에 따라 60일간의 의견수렴 기간 동안 미측과 추가적인 협의를 진행해나갈 예정"이라고 말했다.

한편 산업부는 오는 23일 미 반도체지원법 담당 실무진이 방한해 재정 인센티브의 세부 지원계획과 가드레일 세부규정 등에 대해 협의할 예정이다.