W대역 '질화갈륨 HEMT' 고출력 증폭기 개발 "저전력 기반 '10km-10Gb' 무선통신 가능 눈길


  • 후지쯔와 후지쯔연구소가 W대역(75~110 GHz)을 이용한 송신용 고출력 증폭기를 개발해 공개했다.

    28일 정보통신기술 기업 한국후지쯔에 따르면 이번에 개발한 기술의 경우 대용량 무선 네트워크에 적용 가능한 질화갈륨(GaN) 고전자이동도트랜지스터(HEMT)가 사용됐다.

    장거리 대용량 무선통신을 실현하기 위해서는 넓은 주파수 대역을 이용할 수 있는 W대역 등 고주파 대역 및 파워앰프의 출력 증대가 필요하다. 또 증대하는 통신 시스템의 소비 전력을 저감할 수 있는 파워앰프의 효율 향상도 동반돼야 한다.
     
    이 과정에서 GaN-HEMT의 내부 저항 및 누설전류를 감소시켜 트랜지스터 성능을 향상시키데 집중했다.

    W대역 전송용 파워앰프의 출력밀도는 후지쯔연구소가 앞서 개발한 게이트 폭 1mm당 3.6와트가 세계 최고였다. 하지만 이번 개발로 게이트 폭 1mm당 와트는 4.5로 향상됐으며, 누설전류 억제 기술로 기존 대비 26%저감 저소비전력화가 실현됐다.

    회사 관계자는 "파워엠프를 이용해 2지점을 무선통신시스템으로 잇는 경우, 10km이상 10Gb/초이상의 장거리 대용량 통신이 가능하다"고 설명했다.