美마이크론, 20나노 초반대 미세공정 전환 '하세월'

삼성과 SK에 이어 세계 D램 시장 3위인 미국의 마이크론이 여전히 20나노 초반대 미세공정 전환에 애를 먹고 있다는 것으로 전해졌다.

5일 시장조사기관 디램익스체인지에 따르면 미세공정과 관련해 마이크론의 경쟁업체 대부분은 20나노미터(nm=10억분의 1m) 중반대에서 초반대로 넘어가는 단계다.

하지만 마이크론은 낮은 수율과 공장의 캐파(CAPAㆍ생산능력) 부족 등을 이유로 이 같은 흐름을 쫓아가지 못하고 있다. 수율이 낮다는 건 그만큼 불량품이 나올 가능성이 크다는 뜻이다.

마이크론은 지난해 초부터 20나노 초반대 진입에 어려움을 겪어왔다.

20나노 후반대에서 중반을 거치지 않고 한 번에 초반대로 넘어가려는 전략이 차질을 빚고 있는 것이다. 경쟁사를 빠르게 따라잡기 위해 무리를 한 게 오히려 독이 된 셈이다.

반면 삼성전자와 SK하이닉스는 20나노 진입에 안착하는 분위기다.

이미 지난 2014년 세계 최초로 20나노 D램을 양산하기 시작한 삼성전자의 경우 올해 1분기 중 10나노 후반대 D램도 대량 생산할 계획이다.

SK하이닉스도 올해 하반기까지 20나노 초반대 D램을 본격 양산한 뒤 4분기쯤에는 전체 D램 생산량 가운데 절반 이상을 20나노 제품으로 채울 목표다.

한편 세계 D램 시장에서 DDR4(Double Data Rate4) 메모리가 주력 제품으로 자리를 잡고 있다. 올해 중 DDR3가 DDR4로 대체될 것이라는 게 디램익스체인지의 전망이다. DDR4는 기존 DDR3 대비 성능과 전력 효율이 30% 넘게 높다.