신규 반도체 디자인 VT펫 발표기존 핀펫 대비 전력량 85% 감축IBM-삼성, '하드 테크' 추구 노력 지속
  • ▲ IBM과 삼성전자가 개발한 VT펫 기술이 적용된 웨이퍼. ⓒIBM
    ▲ IBM과 삼성전자가 개발한 VT펫 기술이 적용된 웨이퍼. ⓒIBM
    삼성전자가 IBM으로부터 5나노미터(㎚) 기반 칩 생산을 수주했다. 또 삼성전자는 IBM과 신규 반도체 디자인(VTFET)도 공동 개발하는 등 협업을 강화하고 있다.

    15일 IBM은 삼성전자의 칩 생산 소식과 신규 반도체 디자인을 발표했다.

    앞서 IBM은 지난 2018년 삼성전자에 7㎚칩 제조를 맡겼고, 이 칩은 올 초 IBM의 파워 10 서버 제품군에 탑재된 바 있다. 올 초 공개된 IBM 텔럼 프로세서도 IBM의 설계를 기반으로 삼성전자가 제조한 제품이다.

    이날 IBM이 삼성전자와 함께 발표한 신규 반도체 디자인은 VTFET(VT펫)으로, 기존 핀펫(finFET) 방식 대비 전력 사용량을 최대 85% 줄일 수 있다. VT펫은 수직 트랜지스터 설계 기술을 활용했다.

    기존 트랜지스터는 반도체 표면에 수평으로 배치해 전류가 측면 또는 좌우로 흐를 수 있게 설계됐다. VT펫 기술은 칩 표면에 수직으로 트랜지스터를 쌓아 수직 또는 상하로 전류를 흐르게 한다.

    이 공정은 칩 설계자들이 한정된 면적에 더 많은 트랜지스터를 집적할 수 있게 하며, 무어의 법칙이 가진 한계를 극복하고 성능을 높이는데 많은 장벽들을 해결할 수 있다. 또 트랜지스터의 접점을 개선해 전류 낭비를 줄이는 동시에 더 많은 전류가 흐를 수 있게 지원한다.

    VT펫 기술은 IBM과 삼성전자가 미국 뉴욕 올버니 나노테크 연구단지에서 진행한 공동 연구의 결과다.

    무케시 카레 IBM 리서치 하이브리드 클라우드 및 시스템 담당 부사장은 "현재 반도체 업계가 여러 부문에서 어려움을 겪고 있지만, IBM과 삼성은 반도체 설계 부문에서의 혁신은 물론 '하드 테크'를 추구해 나가는 데 함께 노력하고 있다"고 말했다.