삼성전자 "4분기 재고감소 속도… 내년 HBM 비중 확대"

메모리 반도체 사업이 저점을 지나면서 삼성전자의 반도체사업의 적자 폭도 전분기 대비 축소된 것으로 나타났다. 내년부터 메모리 업황 회복이 본격화될 것으로 전망되는 가운데 삼성전자는 고부가 제품인 고대역폭메모리(HBM) 생산 비중을 확대한다는 방침이다.

31일 삼성전자는 올 3분기 매출 67조4000억원, 영업이익 2조4300억원을 기록했다고 공시했다. 전년 동기 대비 각각 12.2%, 77.5% 감소했다. 다만 전분기 대비로는 각각 12.3%, 264% 늘었다.

상반기 실적 부진의 원인으로 꼽힌 DS부문은 매출 16조4400억원, 영업손실 3조7500억원을 기록했다.

메모리의 경우 ▲HBM ▲DDR5 ▲LPDDR5x 등 고부가 제품 판매 확대와 일부 판가 상승으로 전분기 대비 적자폭이 축소됐다.

삼성전자 측은 "업황 저점에 대한 인식이 확산되며 부품 재고를 확보하기 위한 고객사의 구매 문의가 다수 접수됐다"고 설명했다.

시스템LSI는 주요 응용처 수요 회복이 지연되고 재고 조정으로 인해 실적 개선이 부진했다. 파운드리는 라인 가동률 저하 등으로 실적 부진은 지속됐지만, 고성능컴퓨팅(HPC) 중심으로 역대 최대 분기 수주를 달성하는 등 미래 준비를 공고히 했다.

이날 실적발표 후 진행된 컨퍼런스콜에서도 반도체 사업에 대한 질의가 이어졌다.

삼성전자는 감산 계획에 대한 질문에 "지난 실적발표때 언급한 것처럼 생산량 하향조정을 지속 실행하고 있다"며 "탄력적 생산운영과 수요 개선이 맞물려 재고 수준이 지난 5월 피크아웃 이후 지속 감소 중"이라고 답했다.

이어 "4분기에는 개선된 수요환경과 생산량 하향 추이를 볼 때 더욱 빠른 속도로 재고가 감소할 것"이라며 "D램 대비 낸드플래시의 생산량 하향조정이 상대적으로 크게 운영될 것"이라고 덧붙였다.

다만 삼성전자는 "그간 중장기 경쟁력 확보 차원에서 유지한 캐팩스를 기반으로 1a, 1b나노 D램 및 V7, V8 낸드 등 선단 공정은 생산 하향 조정 없이 공급 비중을 지속 확대해 나갈 계획이고, 이를 통해 당사의 시장 내에서의 위상은 더욱 강화될 것으로 예상한다"고 말했다.

생성형 인공지능(AI) 확산으로 급부상한 HBM과 관련해서는 내년 생산능력을 올해보다 2.5배 이상 늘리겠다는 계획을 밝혔다.

삼성전자는 "생성형 AI 수요가 급증하는 가운데 당사는 HBM2에 이어 HBM3와 HBM3E 등 신제품 생산을 활발히 확대하고 있다"며 "내년 공급역량을 업계 최고 수준으로 유지하기 위해 올해 대비 2.5배 이상 확대할 것"이라고 밝혔다.

그러면서 "이미 주요 고객사와 내년 공급 협의를 완료한 상태이며, 3분기에 HBM3 양산 제품 공급을 시작했고 4분기에는 고객사 확대로 판매를 본격화하고 있다"며 "HBM3 비중이 지속 증가해 내년 상반기에는 전체 물량의 과반을 차지할 것으로 예상된다"고 덧붙였다.

메모리 시장 전망에 대해서는 최근 회복세를 내년에도 이어갈 것으로 내다봤다.

삼성전자는 "내년 수요는 최근 회복세를 이어갈 것으로 본다"며 "고객사 및 업계 재고 정상화와 AI향 수요 성장과 PC, 모바일 고용량화 추세가 수요 회복에 긍정적인 영향 줄 것"이라고 말했다.

한편, 삼성전자는 3분기 D램 빗그로스가 10% 성장했고, 평균판매가격(ASP)은 한 자릿수 중반 증가했다고 밝혔다. 4분기 시장 수요 빗그로스는 10% 수준으로 증가할 것으로 예상했다. 낸드의 경우 3분기 빗그로스는 한 자릿수 초반 감소했지만, ASP는 한 자릿수 초반으로 증가했다.