"퀄컴 AP, 너무 뜨거워" … 삼성 갤럭시 S25 탑재 난감

퀄컴의 신형 어플리케이션프로세서(AP)에서 상당한 발열 현상이 나타나는 것으로 확인됐다. 해당 AP는 내년 상반기 출시하는 갤럭시 S25에 탑재될 것으로 알려졌는데 발열 이슈를 두고 삼성전자의 고민이 커질 것으로 보인다.

5일 샘모바일 등 외신들에 따르면 퀄컴의 스냅드래곤 8 엘리트(4세대) 칩이 탑재된 리얼미 GT7 프로의 벤치마크에서 심한 발열과 함께 테스트 앱이 중단되는 현상이 나타났다. 이후 전화와 메시지를 제외한 모든 앱이 비활성화됐으며 기기 온도가 46도까지 오른 것으로 알려졌다.

리뷰어로 참여한 안드로이드 오소리티는 "휴대폰이 불편할 정도로 뜨거워지면서 발열 관련 경고 메시지가 표시됐다"며 "절전 모드로 전환한 상태에서 다시 벤치마크를 돌렸지만, 완료할 수 없었다"고 전했다.

대만 TSMC에서 2세대 3나노 공정으로 제조된 스냅드래곤 8 엘리트는 최대 4.32GHz 클럭으로 동작하는 칩셋으로 전 세대 모델보다 코어 성능이 45%, 웹브라우징 성능은 62% 향상됐다고 퀄컴은 밝혔다.

하지만 이번 벤치마크에서 엘리트 칩은 약 11~13% 가량 향상된 성능을 보여줘 기대에 미치지 못했다.

갤럭시 S24 울트라에 스냅드래곤 8 3세대 모델을 적용한 삼성전자는 내년 S25에서 4세대인 엘리트 칩셋을 탑재할 것으로 알려진다. 삼성전자가 자체 개발하는 AP 엑시노스 2500가 수율 한계를 극복하지 못했기 때문으로 보인다.

하지만 퀄컴까지 발열 문제에 발목이 잡히면서 갤럭시 S25에 들어갈 AP를 결정하는 문제는 더욱 불투명해질 것으로 보인다. 발열 이슈 전에도 엘리트 칩은 전작 대비 20~30% 인상된 가격 탓에 삼성전자 측이 탑재를 망설인다는 얘기가 나오기도 했다.

특히 발열 이슈는 삼성전자가 극도로 예민하게 여기는 부분이다. 과거 갤럭시 노트7 폭발 사고로 한차례 홍역을 겪은데다 S22에서 터진 GOS 논란도 발열을 잡지 못한 것이 주효했기 때문이다. 당시 갤럭시 S22에 탑재된 AP도 퀄컴의 스냅드래곤 8 1세대 모델이었다.

이번 리얼미 GT7 벤치마크에서도 특정 테스트에서 성능을 끌어올리기 위한 꼼수가 사용됐을 가능성이 제기되기도 했다.

IT 업계 관계자는 "엑시노스가 수율을 내지 못한 것도 근본적으로 발열을 잡지 못했기 때문으로 알고 있다"면서 "최근 출시한 미디어텍의 디맨시티 시리즈도 기대메 못 미치는 성능을 보여주고 있어 삼성전자의 고민은 계속될 것으로 보인다"고 했다.