SK하이닉스, 용인 클러스터 투자 속도 … 8월 1기 팹 2단계 착공

SK하이닉스가 인공지능(AI) 반도체 시장 확대에 대응하기 위해 용인 반도체 클러스터 구축 속도를 끌어올린다. 올해 8월 용인 1기 팹(Fab) 2단계 건물 착공에 돌입하는 동시에 추가 생산라인 구축 계획도 구체화하며 미래 생산능력(캐파) 확대에 속도를 내는 모습이다.

15일 업계에 따르면 SK하이닉스는 오는 8월 경기 용인 반도체 클러스터 내 1기 팹 2단계 건물 공사에 착수할 예정이다. 최근에는 후속 생산시설인 2기 팹 구축 계획도 내부적으로 확정한 것으로 알려졌다.

SK하이닉스는 경기 용인시 처인구 원삼면 일대 416만㎡ 규모로 조성되는 용인 반도체 클러스터 일반산업단지에 총 4개의 첨단 반도체 팹을 건설할 계획이다. 첫번째 생산시설인 1기 팹은 2개의 골조와 6개의 클린룸으로 구성된다. 회사는 전체 시설의 절반 규모인 골조 1단계에 대해 지난해 2월 기초공사에 착수했으며 현재 공사를 진행 중이다.

이어 올해 4월 골조 2단계 기초공사에 들어갔고, 오는 8월 본격적인 건물 공사를 시작할 예정이다. 업계에서는 AI 메모리 수요 확대에 대응하기 위해 선제적으로 생산능력 확보에 나선 것으로 보고 있다.

SK하이닉스는 1기 팹 건설에만 약 31조원을 투자할 계획이다. 아울러 당초 2027년 5월로 예정됐던 첫 번째 클린룸 오픈 시점도 같은 해 2월로 약 3개월 앞당기며 양산 준비 일정 역시 서두르고 있다.

글로벌 AI 인프라 투자 확대에 따라 메모리 반도체 공급 부족 우려가 이어지면서 주요 반도체 업체들의 설비 투자 경쟁도 한층 치열해지는 분위기다. 삼성전자 역시 평택캠퍼스에서 건설 중인 P5 팹1과 동일 구조의 팹2 착공 시점을 기존 내년 초에서 올해 하반기로 앞당긴 것으로 전해졌다.