김기남 삼성 사장 "반도체 한계는 없다… 10나노 초반대 자신"

김기남 반도체총괄 겸 시스템LSI 사업부 사장(사진)은 6일 서울 서초구 서초동 삼성전자 사옥에서 열린 삼성그룹 수요사장단 회의에 참석한 뒤 기자들과 만나 "10나노 초반대 D램 개발이 무난하겠느냐"는 물음에 "그렇다"고 답했다.

삼성전자는 이미 세계 최초로 18나노 D램을 양산하고 있다. 하루 전날인 5일 삼성전자는 "올해 2월부터 세계 최소 크기의 18나노 D램을 양산하고 있다"며 "18나노 D램은 기존 20나노에 비해 생산성이 30% 정도 높다"고 밝혔다.

앞서 지난 2014년에도 삼성전자는 세계 최초로 20나노 D램을 양산했다. 반도체 미세 공정의 한계로 여겨지던 10나노급 D램 양산도 가장 먼저 성공한 것이다.

18나노 D램은 20나노 D램에 비해 연산 속도가 30%가량 빠르면서도 소비전력은 20% 이상 적다. 1나노는 10억분의 1m로 반도체 회로 선폭을 나타내는 단위다.

이제 삼성전자는 10나노 초반대 D램 개발에 나선다. 경쟁업체와의 격차를 더 벌리기 위해서다.

김 사장은 지난달 열린 한국반도체산업협회장 퇴임사에서 "2년 전 '반도체 기술의 한계는 없다. 다만 솔루션을 찾는 데 시간이 걸릴 뿐'이라는 말을 했는데 여전히 그 생각에는 변함이 없다"며 기술 개발에 대한 자신감을 드러낸 바 있다.