SK하이닉스 HBM 개발 주역, '대한민국 엔지니어상' 수상

SK하이닉스 HBM(고대역폭메모리)과 저전력 D램인 LPDDR 개발 주역인 손윤익 미래기술연구원 팀장이 '대한민국 엔지니어상(이하 엔지니어상)'을 수상했다.

18일 SK하이닉스는 뉴스룸을 통해 지난 17일 서울 강남구 삼정호텔에서 개최된 '2025년 상반기 대한민국 엔지니어링상' 시상식에서 손윤익 미래기술연구원 DPERI조직 팀장이 엔지니어상을 수상했다고 밝혔다.

과학기술정보통신부와 한국산업기술진흥협회가 수여하는 엔지니어상은 산업 현장에서 탁월한 성과를 이뤄낸 엔지니어에게 수여된다.

이번에 IT엔지니어 분야에서 수상하게 된 손 팀장은 SK하이닉스의 차세대 AI 반도체 기술 개발을 이끌어온 주역이다. 그는 AI 시대를 이끌어가는 핵심 반도체인 HBM과 모바일용 저전력 D램인 LPDDR 개발을 주도하며 기술 한계에 지속적으로 도전해 온 공로를 인정받았다.

올해로 입사 19년 차를 맞은 손 팀장은 소자 엔지니어로 다양한 D램 제품의 Peri(Peripheral) 트랜지스터 개발을 위해 힘써왔다는 평가를 받는다. Peri는 데이터를 저장하는 셀(Cell)들을 선택하고 컨트롤하는 역할을 하는 주변부 회로 영역을 의미한다.

특히 LPDDR5 개발 과정에서 D램에 HKMG(High-K Metal Gate) 공정을 성공적으로 적용해 업계의 주목을 받았다. 이 기술은 기존 대비 성능과 전력 효율을 동시에 개선할 수 있는 공정으로, SK하이닉스 메모리 제품의 경쟁력을 획기적으로 끌어올리는 데 이바지했다는 평가를 받는다.

손 팀장의 여정에서 가장 상징적인 성과는 D램에 HKMG 공정을 성공적으로 적용한 일이다. 본래 HKMG 공정은 CPU나 AP와 같은 로직(Logic) 반도체에 적용됐던 공정으로 D램 제조에 적용하기에는 많은 제약이 있어 그동안은 시도되지 않았다. 하지만 손 팀장은 기술 혁신을 위해 과감히 도전했고, 결과적으로 제품의 성능과 전력 효율을 획기적으로 개선하는 데 성공했다.

그는 "D램에 HKMG를 도입한다는 것은 단순한 기술 확장이 아닌 패러다임 전환"이라고 평하며 "셀(Cell) 트랜지스터에 미치는 영향을 최소화하면서도 HKMG의 단점을 극복해야 했는데, 새로운 시도를 두려워하지 않고 도전한 덕분에 결국 최고의 경쟁력을 확보할 수 있었다"고 밝혔다.

손 팀장이 이룬 또 다른 성과는 그동안 꾸준히 연구·개발해 온 Peri 영역의 소자 기술들이다. 해당 기술들은 AI 메모리 반도체의 시장의 핵심 제품인 HBM의 성능 개선에도 크게 이바지하며 SK하이닉스 반도체 제품 전반에 걸친 혁신을 이뤄냈다.

손 팀장은 이번에 엔지니어상을 수상하며 "동료들과 수상의 기쁨을 나누고 싶다. 이번 수상은 저 혼자만의 성과라기보다 수많은 동료와 함께 고민하고 도전해 온 시간에 대한 값진 결실이라고 생각한다"며 "특히 한계에 부딪힐 때마다 함께 머리를 맞대고 해결책을 찾아갔던 순간들이 떠오르고 앞으로도 '원팀 스피릿'으로 똘똘 뭉쳐 국가 산업 발전을 이끌 기술 혁신을 이어가겠다"고 소감을 밝혔다.

이어 엔지니어로서의 자부심을 드러내며 "엔지니어는 기술을 통해 세상의 문제를 해결하는 사람들이고 여러 제약 속에서도 새로운 가능성을 찾아내고 실현하는 것이 본질"이라며 미래 엔지니어들에게 "기술에 대한 믿음과 실패를 견디는 끈기를 꼭 당부하고 자신이 만든 기술이 세상을 바꿀 수 있다는 확신을 갖고 실천하길 바란다"고 말했다.