고성능, 저전력, 고용량 제품… 내년 하반기부터 양산
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  • SK하이닉스가 속도가 4배 이상 빠른 메모리 개발에 성공했다.


    26일 SK하이닉스는 업계 최초로
    TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극) 기술을 적용한
    HBM(High Bandwidth Memory, 초고속 메모리) 제품을 개발했다고 밝혔다.

    이 제품은 JEDEC에서 표준화를 진행 중인
    고성능, 저전력, 고용량 D램 제품이다.

    1.2V 동작전압에서 1Gbps 처리 속도를
    구현할 수 있어 1,024개의 정보출입구(I/O)를 통해
    초당 128GB의 데이터 처리가 가능하다. 

    초당 28GB의 데이터를 처리하는 현재 업계 최고속 제품인
    GDDR5보다 4배 이상 빠른 속도지만
    전력소비는 40% 가량 낮춘 것이 특징이다. 

    고사양 그래픽 시장 채용을 시작으로
    향후 슈퍼컴퓨터, 네트워크, 서버 등에 응용될 전망이다.

    SK하이닉스는 이번 HBM 제품에 TSV 기술을 활용해
    20나노급 D램을 4단 적층했으며,
    기술적 검증을 위해 그래픽 분야
    선두 업체인 AMD(Advanced Micro Devices)와 공동 개발을 진행했다. 

    이를 바탕으로 내년 상반기 중 샘플을
    고객들에게 전달할 계획이다.

    "TSV 기술을 활용한 HBM 제품의 내년 상용화를
    시작으로 제품 포트폴리오를 더욱 강화해
    메모리 시장에서 주도권을 지속 확보하겠다.”

    -SK하이닉스 DRAM개발본부장 홍성주 전무


    SK하이닉스는 이번에 개발을 완료한 HBM을
    내년 하반기부터 본격 양산할 계획이다.

    [사진=SK하이닉스 제공]