비수기 불구 영업익 1조5885억 달성... "3년 연속 사상 최대 실적 달성 청신호"

  • ▲ ⓒSK하이닉스.
    ▲ ⓒSK하이닉스.


    SK하이닉스의 올 한해 전략은 36단 3D 낸드플래시 비중 확대와 20나노 초반급 D램 양산이다.

    SK하이닉스는 24일 열린 올해 1분기 실적발표회에서 36단 3D 낸드플레시를 오는 3분기(7~9월) 중 양산할 계획이라고 밝혔다. 아울러 당분간은 이 제품을 모바일보다 컴퓨터에 들어가는 SSD를 중심으로 적용할 방침이라고 덧붙였다.

    메모리반도체는 크게 D램과 낸드(NAND)플래시로 나뉜다. D램은 전원이 꺼지면 데이터가 사리지는 휘발성 메모리인 반면, 낸드는 데이터를 일부러 지우지 않는 이상 없어지지 않는 비휘발성 기억장치다.

    SK하이닉스는 이미 지난해 말 24단에 대한 개발을 완료하는 등 3D 낸드플래시에 대한 기술력을 확보한 상태다. 이를 바탕으로 올해 중 36단을 시작으로 연말부턴 48단 제품 양산에 들어가기로 했다.

    36단 3D 낸드플레시의 경우 MLC를 중심으로 생산하며 48단은 TLC 구조로 만들 예정이다. 또 올 2분기(4~6월) 말부터는 TLC 제품 비중을 늘리기로 했다. 올 연말까지 전체 제품 가운데 40%를 TLC 구조로 생산한다는 게 SK하이닉스의 목표다.

    이렇게 되면 올 3분기 SSD(Solid State Drive) 제품군 중 TLC가 차지하는 비중이 적게는 20%에서 많게는 30%까지 차지한다. SSD는 하드디스크드라이브(HHD)를 대체할 차세대 저장장치다.

    낸드의 경우 데이터를 저장하는 최소 단위인 셀(Cell)을 몇 단까지 쌓을 수 있느냐가 관건이다. 이처럼 셀을 수평이 아닌 수직으로 올리기 때문에 그 형태를 본 따 3D 낸드플래시(V낸드)라고 부른다.

    셀을 쌓아올리는 과정 중, 한 단에 1개 셀을 넣으면 SLC(single level cell) 또는 1bit이라고 말한다. 한 단에 셀을 2개로 나눠 집적시키면 MLC(multi level cell) 2bit라고 하며, 3개로 쪼개 쌓으면 TLC(triple level cell)가 된다.

    D램은 지난해 1분기를 기점으로 양산을 시작한 25나노(1나노=10억분의 1ｍ) 비중을 올 2분기부터 대폭 확대하고 20나노도 3분기부터는 양산에 돌입할 구상이다.

    여기에 컴퓨터 서버보다는 모바일 시장 공략을 강화해 LPDDR3에서 LPDDR4 전환 속도를 가속화할 방침이다.

    한편, SK하이닉스는 올 1분기 매출 4조8183억원, 영업이익 1조5885억원을 기록하는 등 3년 연속 사상 최대 실적 달성에 청신호를 켰다.

    매출은 지난해 1분기보다 28.7%, 영업이익은 50.2%나 급증했다. 1분기가 반도체 산업의 전통적인 비수기인 점을 감안하면 의미 있는 성과를 거둔 것이다.

    이에 따라 SK하이닉스는 지난 2013년부터 올해까지 3년 연속 사상 최대 실적을 기대할 수 있는 토대를 마련했다는 평가를 받고 있다.