GAA 기반 3나노 반도체 공정 양산 발표 앞둬올 상반기 내 3나노 양산 시작 목표 제시
  • ▲ 삼성전자 평택캠퍼스. ⓒ삼성전자
    ▲ 삼성전자 평택캠퍼스. ⓒ삼성전자
    삼성전자가 세계 최초 파운드리(반도체 위탁생산) 3나노미터(㎚·10억분의 1ｍ) 반도체 공정을 기존 계획대로 올 상반기 중 양산한다는 방침이다.

    22일 업계에 따르면 삼성전자는 조만간 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 3나노 반도체 공정의 양산을 공식 발표할 것으로 전해졌다.

    GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술보다 칩 면적을 줄이고 소비전력은 감소시키면서 성능은 높인 신기술이다.

    삼성전자는 지난달 조 바이든 미국 대통령이 삼성전자 평택공장을 방문했을 때 이 제품을 선보이기도 했다. 당시 바이든 대통령과 윤석열 대통령은 GAA 기반 3나노 시제품에 서명했다.

    삼성전자는 그간 GAA 기술을 적용해 올 상반기 내 대만의 TSMC보다 먼저 3나노 양산을 시작하겠다는 목표를 제시해왔다. 올 초 TSMC는 하반기에 3나노 반도체를 양산할 것이라고 밝힌 바 있다.

    삼성전자 관계자는 "3나노 양산 일정은 예정대로 차질없이 진행되고 있다"고 말했다.