이창양 산업장관, 삼성전자 3나노 파운드리 양산 출하식 참석 기존 방식보다 성능 30% 높아…"기술적 성과""반도체 플러스 산업, 경쟁력 강화방안 순차 이행"
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이창양 산업통상자원부 장관은 25일 삼성전자가 세계 최초로 3나노 파운드리 양산에 성공한 것과 관련 "정부가 발표한 반도체 초강대국 달성전략을 바탕으로 민간투자지원, 인력양성, 기술개발, 소부장생태계 구축에 노력을 아끼지 않을 것"이라고 강조했다.이 장관은 이날 경기 화성 삼성전자 화성캠퍼스 V1라인에서 열린 반도체 3나노 파운드리 양산 출하식에 참석해 "3나노 공정이 높은 수율을 확보해 안정적으로 안착하기 위해 삼성전자와 시스템반도체 업계, 소부장업계가 힘을 모아달라"며 이같이 말했다.이번 3나노 파운드리 양산은 삼성전자가 TSMC, 인텔 등 파운드리 경쟁사를 제치고 세계 최초로 달성한 것으로 기존의 반도체기술을 혁신적으로 개선한 GAA 구조를 활용했다는 점에서 기술적 의미가 높다는게 산업부의 설명이다.GAA(Gate-All-Around)란 스위치와 통로 4개면이 접촉되는 구조로 기존 최신공정인 핀(Fin) 구조대비 전력은 50%, 면적은 35% 줄였지만 성능은 30% 높였다.산업부는 이번 3나노 파운드리 양산이 국내 소부장 및 시스템반도체 기업들이 초미세 공정용 소재, 장비, 설계자산(IP) 등을 공동개발한 점을 고려할때 우리 반도체 산업계가 공동으로 이룬 성과라며 경제안보 차원에서도 의미가 크다고 평가했다.이 장관은 삼성전자 임직원들과 기술 개발에 힘을 보탠 반도체 산업계의 노력에 감사를 표하고 "이러한 노력이 미세공정 경쟁에서 앞서가기 위한 기술경쟁력 제고와 전문인력 양성에 기여할 것으로 기대한다"고 밝혔다. 이어 "3나노 파운드리 장을 안정적으로 확보하기 위해서는 첨단 반도체에 대한 국내 수요가 중요한만큼 반도체 미래 수요를 견인할 디스플레이, 배터리, 미래 모빌리티, 로봇, 바이오 등 반도체 플러스산업에 대한 경쟁력 강화방안을 순차적으로 수립해 적극 이행하겠다"고 말했다.