AI 데이터센터·로봇 등 고효율·초소형화에 필수10월 말 고객 시험 생산 전용 웨이퍼 제공GaN·SiC 등 화합물 반도체까지 라인업 확장
  • ▲ DB하이텍 부천캠퍼스 전경.ⓒDB하이텍
    ▲ DB하이텍 부천캠퍼스 전경.ⓒDB하이텍
    DB하이텍이 차세대 전력반도체 공정 개발을 통해 파운드리 경쟁력을 강화한다. 

    DB하이텍은 차세대 전력반도체인 전계모드 갈륨나이트라이드 고전자이동도 트랜지스터(650V E-Mode GaN HEMT) 공정 개발을 마무리 짓고, 고객이 시험을 생산할 수 있는 전용 멀티 프로젝트 웨이퍼(MPW)를 10월 말 제공한다고 11일 밝혔다. 

    GaN 소재의 반도체는 기존 실리콘(Si) 기반의 반도체에 비해 전력 효율이 높고, 고온과 고주파에도 강해 실리콘카바이드(SiC) 등과 함께 최근 차세대 전력반도체로 각광받고 있다.

    특히 전기차, 인공지능(AI) 데이터센터, 고속 충전, 5G, 로봇 등의 신규 고성장 분야에서 수요가 급증하는 추세다. 시장조사기관인 욜디벨롭먼트는 GaN 시장이 올해 약 5억3000만달러에서 2029년 20억1300만달러로 연평균 약 40%로 급속 성장할 것으로 내다봤다. 

    DB하이텍은 시장이 초기 단계이던 2022년부터 GaN, SiC 등 화합물반도체를 차세대 사업으로 정하고 공정 개발을 진행해 왔다. 이 가운데 650V E-Mode GaN HEMT는 고속 스위칭과 안정성이 특징으로 전기차 충전기, 데이터센터의 전력변환기, 5G 통신 분야 등에서 활용도가 높다.

    DB하이텍은 650V GaN HEMT 공정 개발을 시작으로 집적회로(IC) 형태로 설계할 수 있는 200V GaN 공정과 650V GaN 공정을 2026년 말까지 순차 개발할 예정이다. 이후 시장 상황과 고객의 수요 등을 고려해 더 넓은 전압대까지 공정을 확장할 계획이다. 

    생산 능력 확충에도 나선다. DB하이텍은 충북 음성 상우캠퍼스에 클린룸 확장을 추진 중이다. 신규 클린룸은 8인치 웨이퍼 월 3만 50000장 장가량을 증설할 수 있는 규모로, GaN을 비롯해 복합전압소자(BCDMOS), SiC 등이 생산될 예정이다. 증설이 완료되면 DB하이텍의 생산능력은 현재 15만 4000장에서 23% 늘어난 19만 장이 된다.

    DB하이텍 관계자는 “세계 최초로 0.18um 복합전압소자를 개발하는 등 Si 기반 전력반도체에서 이미 글로벌 기술경쟁력을 인정받고 있다”면서 “GaN 공정의 추가로 전력반도체 파운드리 기업으로서 회사의 경쟁력이 더욱 강화될 것으로 기대된다”고 밝혔다.