국민대 최성진 교수, 3년 연속 '세계 최상위 2% 연구자'에 선정 … 고밀도 반도체 집적연구 주도

국민대학교는 전자공학부 최성진 교수가 미국 스탠퍼드대학교와 글로벌 학술 출판사 엘스비어(Elsevier)가 공동 발표한 '2025 세계 상위 2% 연구자(Top 2% Scientists)' 명단에 3년 연속 이름을 올렸다고 17일 밝혔다.

이 명단은 엘스비어의 학술논문 데이터베이스(Scopus)를 기반으로 전 세계 연구자의 인용 지표와 학문적 영향력을 종합 평가해 선정한다.

이번 명단은 1960년부터 2024년까지의 논문 실적을 종합 평가한 '생애업적(career-long)'과 지난해 1년간 실적을 평가한 '단일 연도(single-year)' 기준으로 나눠 발표됐다. 최 교수는 두 부문 모두에서 세계 상위 2% 연구자로 선정됐다. 반짝 성과가 아니라 꾸준히 높은 연구 성과를 유지해 왔다는 얘기다.

최 교수는 현재 차세대 반도체 소자와 3차원 적층(Monolithic 3D Integration, M3D) 기술 분야에서 세계적으로 주목받는 연구를 수행하고 있다. M3D 기술은 반도체 칩의 여러 층을 수직으로 쌓아 올려 성능을 높이는 기술이다. 아파트를 한 층씩 세워 공간 활용을 극대화하듯 제한된 칩 면적 안에 더 많은 회로를 쌓아 고성능과 저전력을 동시에 구현하는 차세대 반도체 공정이다. 최 교수 연구팀은 M3D 구조를 구현하고자 레이저를 이용해 실리콘을 국소적으로 녹였다가 다시 결정화하는 '레이저 재결정화(Laser Recrystallization)' 기술을 개발 중이다. 낮은 온도에서도 고품질 실리콘층을 형성할 수 있어 기존 공정 위에 새로운 트랜지스터 층을 쌓는 게 가능해진다. 현재는 이 방식을 활용해 GAA(Gate-All-Around) 구조, 즉 전류가 흐르는 채널(전자의 통로)을 사방에서 감싸 제어하는 방식의 고효율 트랜지스터를 구현하는 데 집중하고 있다. 이 기술은 N형과 P형 트랜지스터를 쌍으로 수직 적층하는 차세대 C-FET(Complementary FET) 구조를 실현하는 핵심 기반이다.

이와 함께 최 교수가 그동안 수행해 온 탄소나노튜브(CNT) 기반 차세대 반도체 소자 연구도 이번 세계 상위 2% 연구자 선정의 배경으로 꼽힌다. CNT는 머리카락 굵기의 10만분의 1에 불과한 초미세 탄소 구조체다. 전기가 잘 통하고 열에 강해 차세대 트랜지스터 소재로 주목받는다. 최 교수는 CNT를 이용해 대규모 웨이퍼(실리콘 기판) 수준에서 트랜지스터를 제작할 수 있는 공정 기술을 개발했다. 이를 통해 실제 회로와 시스템 수준의 구현도 가능한 차세대 반도체 플랫폼을 제시했다. 이는 기존 실리콘 소자의 미세화가 한계에 직면한 가운데 비실리콘 기반의 새로운 집적회로 기술로 확장될 수 있는 잠재력을 보여준다는 평가다.

최 교수는 "이번 선정 결과는 국민대 연구진의 수준과 잠재력을 세계적으로 인정받은 것"이라며 "앞으로도 인공지능(AI)과 초연결 사회를 뒷받침할 고집적·저전력 반도체 플랫폼을 구현하는 데 힘쓰겠다"고 말했다.