HBM 공급 넘어 파운드리 협력까지 과시파운드리·메모리·패키징 동맹전선 확대삼성, 소캠부터 SSD까지 … IDM 역량 부각
  • ▲ 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 16일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이의 SAP센터에서 연례 개발자 회의 'GTC 2026' 기조연설을 하고 있다.ⓒ연합뉴스
    ▲ 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 16일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이의 SAP센터에서 연례 개발자 회의 'GTC 2026' 기조연설을 하고 있다.ⓒ연합뉴스
    엔비디아 연례 개발자회의 GTC 2026에서 삼성전자가 예상보다 더 큰 존재감을 드러냈다. 젠슨 황 CEO(최고경영자)가 기조연설 도중 삼성전자를 직접 언급하며 감사를 표한 데 이어, 삼성전자는 전시장에 차세대 HBM(고대역폭메모리)과 서버용 메모리 모듈, SSD, 첨단 패키징 기술을 한꺼번에 내놓으며 협력 범위를 전면에 내세웠다. 그동안 삼성전자의 엔비디아 협력은 HBM 공급 가능성에 초점이 맞춰졌지만, 이번 행사에서는 파운드리와 시스템 메모리, 패키징까지 연결된 구조가 보다 분명해졌다는 평가가 나온다.

    특히 이번 장면은 삼성전자가 AI(인공지능) 반도체 시장에서 어떤 역할을 노리는지를 압축적으로 보여줬다는 점에서 의미가 있다. 단순히 특정 메모리 제품을 공급하는 수준이 아니라, 엔비디아 차세대 AI 플랫폼 전반에 걸친 부품·생산 파트너로 입지를 넓히려는 전략이 공개 무대에서 드러났기 때문이다.

    황 CEO는 16일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이 SAP센터에서 열린 GTC 2026 기조연설에서 추론용 칩을 소개하며 “삼성이 우리를 위해 그록3 언어처리장치(LPU) 칩을 제조하고 있다”고 말했다. 이어 “지금 최대한 빠르게 생산을 늘리고 있다”며 삼성에 감사를 표했다. 그는 해당 칩이 엔비디아 차세대 AI 시스템인 베라 루빈에 들어가고, 올해 3분기께 출하가 시작될 것이라고 설명했다.

    이 발언으로 삼성전자 파운드리 사업부가 엔비디아 AI 시스템용 칩 생산에 참여하고 있다는 점이 공개적으로 확인됐다. 삼성전자로서는 엔비디아 GPU(그래픽처리장치)용 메모리 협력 가능성에 더해, 반도체 수탁생산 부문에서도 엔비디아와의 접점이 구체화됐음을 시장에 보여준 셈이다.

    업계는 이를 공급망 다변화와 양산 안정성 확보 차원에서 해석하고 있다. AI 반도체 시장이 급팽창하는 과정에서 엔비디아가 메모리뿐 아니라 로직 칩과 생산 파트너까지 다층적으로 관리할 필요성이 커진 만큼, 삼성전자의 종합반도체기업(IDM) 역량이 다시 부각되고 있다는 관측이다.

    삼성전자는 GTC 전시장에서도 차세대 HBM 전략을 적극적으로 드러냈다. 회사는 HBM4E 실물 칩과 적층용 코어 다이 웨이퍼를 처음 일반에 공개했다. 삼성전자에 따르면 HBM4E는 올해 하반기 샘플 출하를 목표로 하며, 핀당 16Gbps(초당 기가비트) 전송속도와 4.0TB/s(초당 테라바이트) 대역폭을 지원할 예정이다.

    이는 삼성전자가 지난달 양산 출하를 시작했다고 밝힌 HBM4의 핀당 13Gbps, 3.3TB/s보다 높은 수준이다. 삼성전자는 1c D램 공정 기술과 4나노미터 베이스 다이 설계 역량을 기반으로 HBM4E 개발을 가속하고 있다고 설명했다. 여기에 메모리, 파운드리, 로직 설계, 첨단 패키징 역량을 함께 결합한 최적화 개발 구조를 강조했다.

    이 대목은 삼성전자가 HBM 경쟁을 단순한 메모리 속도 경쟁이 아니라 통합 설계 경쟁으로 끌고 가려는 의도로 읽힌다. 특히 전시장에 마련한 ‘HBM4 히어로 월’을 통해 종합반도체기업 체제를 전면에 내세운 것은, 경쟁사와 달리 설계부터 생산, 패키징까지 내부 역량을 묶어 대응할 수 있다는 점을 강조하려는 메시지로 해석된다.

    삼성전자는 이번 행사에서 루빈 GPU용 HBM4뿐 아니라 베라 CPU용 SOCAMM(소캠·서버용 저전력 메모리 모듈)2, 기업용 6세대 SSD인 PM1763까지 함께 전시했다. 이를 통해 베라 루빈 플랫폼에 필요한 주요 메모리와 스토리지를 폭넓게 공급할 수 있다는 점을 부각했다.

    이는 AI 인프라 시장의 경쟁 방식이 바뀌고 있음을 반영한다. 과거에는 GPU와 HBM 조합이 핵심이었다면, 이제는 서버용 저전력 메모리 모듈과 고성능 SSD, 패키징, 전력 효율까지 포함한 플랫폼 단위 대응력이 중요해지고 있다. 삼성전자가 HBM만이 아니라 CPU 메모리 모듈과 SSD까지 묶어 전시한 것은 이런 흐름에 맞춘 전략적 행보로 볼 수 있다.

    패키징 기술도 공개했다. 삼성전자는 열압착접합(TCB) 대비 열 저항을 20% 개선하고 16단 이상 고적층을 지원하는 하이브리드구리접합(HCB) 기술을 소개했다. 고적층 HBM 경쟁이 본격화할수록 발열 관리와 접합 기술이 수율과 원가를 좌우하는 핵심 변수로 떠오르는 만큼, 삼성전자가 HCB를 공개한 것은 차세대 HBM 시장 선점을 위한 기술 카드로 읽힌다.