마이크론 20.5%, SK하이닉스 19.2% 각각 2, 3위 기록
  • ▲ 삼성전자는 이달부터 20나노(1나노 = 10억분의 1ｍ) 4기가비트(Gb) DDR3(Double Data Rate 3) D램을 본격적으로 양산한다.
    ▲ 삼성전자는 이달부터 20나노(1나노 = 10억분의 1ｍ) 4기가비트(Gb) DDR3(Double Data Rate 3) D램을 본격적으로 양산한다.


삼성전자가 2년만에 2분기 메모리반도체 세계 시장점유율 1위를 기록, 동종업계의 부러움을 자아냈다.

18일 시장조사기관 IHS아이서플라이 최근 보고서에 따르면 삼성전자의 2분기 메모리반도체 매출액이 67억1800만달러로 1분기보다 14.2% 증가한 34.7%를 기록했다.

삼성전자 측은 이번 점유율 확대 관련 20나노 D램 공정과 수직구조 낸드플래시(V낸드) 등 첨단 제품 비중이 늘었기 때문이라고 설명했다.

삼성전자의 2분기 D램 매출액은 43억1100만달러로 1분기보다 15.3%, 낸드플래시 매출액은 23억8200만달러로 14.3% 증가했다. 
 
이어 2위는 미국 마이크론사로 39억7400만달러의 매출을 기록, 1분기 대비 매출액 상승률은 3.5%로 시장점유율 20.5%를 기록했다.

3위는 국내 기업 SK하이닉스로 마이크론을 바짝 추격하며 2분기 매출액 37억1700만달러를 기록해 전분기 대비 9.7% 상승하며 시장점유율 19.2%를 기록했다. 

2분기 삼성전자, SK하이닉스 등 국내업체의 메모리반도체 시장점유율은 53.9%로 양사 시장점유율이 전분기 대비 2.7% 포인트 올랐다.

삼성전자 관계자는 “20나노급 D램 공정비중을 늘리는가 하면 V낸드 제품과 이를 기반으로 하는 SSD(솔리드스테이트드라이버) 경쟁력을 높이면서 시장점유율을 더욱 끌어올릴 예정”이라고 말했다. 

이어 그는 “메모리 사업에 비해 약세를 보이고 있는 시스템 LSI 사업에서도 14나노 핀펫 공정과 엑시노스 AP 경쟁력 강화, 원칩 공급역량 확보를 통해 지속적으로 실적을 개선해 나갈 것"이라고 강조했다.

SK하이닉스 관계자 역시 "D램 미세화공정에 대한 꾸준한 투자와 하반기 V낸드, SSD 신제품 양산을 통해 실적 개선에 더욱 힘쓰겠다"고 말했다.