삼성, 64단 '3D V낸드' 개발 착수 "경쟁사 2년 앞선 초격차"

삼성전자의 저장용 반도체 '낸드' 기술력이 하늘 높은 줄 모르고 올라가고 있다. 업계 선두를 질주하는 것도 모자라 2위권과의 격차를 갈수록 더 벌리고 있다.

13일 관련업계에 따르면 삼성전자가 이미 48단 구조의 V낸드를 개발한 데 이어 64단 V낸드 개발에 착수했다. 삼성전자는 지난해 이미 24단 구조의 V낸드를 넘어 32단 V낸드를 개발했다고 발표한 바 있다.

낸드는 데이터를 안전하게 저장할 수 있는 용량을 기준으로 기술력 차이를 가늠한다. 보통 데이터를 저장하는 최소 단위인 셀(Cell)을 몇 단까지 쌓을 수 있느냐가 관건이다.

이처럼 셀을 수평이 아닌 수직으로 올리기 때문에 그 형태를 본 따 '3차원 수직구조 낸드플래시(V낸드)'라고 부른다.

셀을 아파트처럼 층수를 높이 쌓으면 쌓을수록 집적도가 높아져 저장용량을 획기적으로 키울 수 있다. 마이크론과 SK하이닉스 등 경쟁사들은 여전히 수직구조가 아닌 평면구조 방식을 택하고 있다.

삼성전자의 낸드 기술력은 경쟁사 대비 최소 2년 넘게 앞서 있다는 평가를 받고 있다. 하지만 삼성전자는 해마다 본인의 신기록을 갈아치우고 있어 실제 기술력 격차는 더 클 수 있다는 분석이 나오고 있다.

업계 한 관계자는 "기술개발이 실시간으로 이뤄지는 전자업계에서 2년 이상 기술력 차이를 벌렸다는 것은 엄청난 의미"라면서 "삼성의 메모리사업부가 올 한 해도 탄탄대로를 달릴 가능성이 한층 더 높아진 것"이라고 평가했다.