평택 생산라인 확충 총력초격차 실현, 5나노 이하 주력 TSMC, 미중 분쟁에 '화웨이 거래중단' 발표삼성, 2030년 글로벌 1위 달성 위한 전략 착착
  • ▲ 삼성전자 평택캠퍼스. ⓒ삼성전자
    ▲ 삼성전자 평택캠퍼스. ⓒ삼성전자
    삼성전자가 파운드리 생산시설을 늘리며 글로벌 1위 쟁취를 위한 추격에 불을 지폈다.

    21일 업계에 따르면 삼성전자는 극자외선(EUV) 기반 최첨단 제품 수요 증가에 대응하기 위해 경기도 평택캠퍼스에 파운드리 생산 시설을 구축한다.

    이번 투자는 삼성전자가 지난해 4월 발표한 '반도체 비전 2030' 관련 후속 조치의 일환으로, 삼성전자는 시스템 반도체 분야에서 글로벌 1위를 달성하기 위한 세부 전략을 실행하고 있다.

    이에 따라 삼성전자는 파운드리 분야에서 글로벌 선두를 달리고 있는 대만 TSMC 추격을 위한 발판을 마련하게 됐다는 평가다.

    TSMC는 반도체를 자체 설계하지 않고 다른 기업으로부터 설계도를 받아 위탁생산만 한다. 애플, 퀄컴, 화웨이 등 유수의 글로벌 기업들을 고객사로 둔 만큼 독보적인 입지를 구축하고 있다.

    실제 글로벌 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올 1분기 파운드리 시장인 TSMC가 점유율 54.1%를 기록했다. 삼성전자는 15.9%로 뒤를 이었다.

    하지만 TSMC는 최근 미·중 분쟁이 다시 불거지면서 미국의 화웨이 제제 강도가 높아지고 있는 가운데 발 빠르게 미국 편에 서며 화웨이 신규 주문을 받지 않기로 했다. 화웨이는 TSMC 전체 매출의 12~14%를 차지하는 것으로 전해지고 있는 만큼 비중 있는 고객사다.

    이같은 상황에서 삼성전자는 TSMC와의 점유율 격차를 좁히기 위해 EUV를 적용한 초미세공정 파운드리 라인을 확장하고 있는 상황이다.

    삼성전자는 지난해 화성 S3 라인에서 업계 최초로 EUV 기반 7나노 반도체 양산을 시작했고, 지난 2월에는 EUV 전용인 화성 V1 라인 가동을 시작했다. 평택에 EUV 전용 라인이 추가된다면 삼성전자의 7나노 이하 초미세공정 반도체 생산능력은 한층 늘어날 전망이다.

    지난해 EUV 기술을 기반으로 5나노 공정 개발에 성공한 삼성전자는 올 하반기 화성에서 5나노 제품도 양산할 계획이다. 이후 2021년 하반기부터 평택 라인에서도 본격적으로 5나노 제품을 생산할 예정이다.

    삼성전자 측은 "시스템 반도체 분야에서 오는 2030년까지 글로벌 1위를 달성하기 위한 세부 전략을 속속 실행하고 있다"고 밝혔다.