ASML에 EUV 스캐너 주문 … 차세대 선단 공정 속도전HBM·범용D램 수요 동시 대응 전략 … 공급 안정화 목표1c 공정 전환 가속 … DDR5·LPDDR6 등 차세대 제품 확대
  • ▲ SK하이닉스 LPDDR6 제품 이미지ⓒSK하이닉스
    ▲ SK하이닉스 LPDDR6 제품 이미지ⓒSK하이닉스
    SK하이닉스가 약 12조원 규모의 극자외선(EUV) 장비 투자를 단행하며 차세대 D램 공정 전환과 생산능력 확대에 속도를 낸다. 인공지능(AI) 확산으로 고성능 메모리 수요가 급증하는 가운데 선단 공정 경쟁력 확보에 본격적으로 나선 것으로 풀이된다.

    SK하이닉스는 24일 공시를 통해 네덜란드 반도체 장비업체 ASML로부터 EUV 노광 장비를 도입하기로 했다고 밝혔다. 

    총 투자 금액은 약 11조9496억원으로 2024년 말 기준 자산총액의 약 9.97% 수준이다. 장비 도입은 2027년 12월까지 순차적으로 진행되며 설치 및 개조 비용도 포함됐다.

    이번 투자는 고대역폭메모리(HBM)를 중심으로 한 AI 메모리 수요 확대와 범용 D램 시장의 동반 성장에 대응하기 위한 포석이다. 서버와 모바일 등 주요 수요처에서 메모리 탑재량이 증가하는 흐름이 이어지면서 공급 기반 강화 필요성이 커졌다는 판단이다.

    핵심은 6세대(1c) 공정 전환이다. SK하이닉스는 EUV 장비 도입을 계기로 미세 공정 전환 속도를 끌어올리고, 차세대 메모리 제품 경쟁력을 강화할 계획이다. 1c 공정은 회로를 더욱 정밀하게 구현할 수 있는 기술로 차세대 HBM과 DDR5, LPDDR6 등에 적용될 예정이다.

    SK하이닉스는 이미 1c 기반 DDR5와 LPDDR6 개발을 통해 미세공정 경쟁력을 확보해 왔다. 해당 공정은 생산 효율과 전력 효율을 동시에 개선하고 데이터 처리 속도를 높이는 것이 특징이다.

    생산 인프라 확장도 병행한다. 청주 M15X 공장은 생산능력 확대를 앞당기고 있으며, 2단계 클린룸 가동 시점 역시 기존 계획보다 약 2개월 앞당겼다. 내년 2월 가동 예정인 용인 1기 팹도 초기 생산 기반 구축에 속도를 낼 방침이다.

    SK하이닉스 관계자는 "1c나노(1cnm) 공정 전환을 가속화해 AI 메모리 제품 포트폴리오를 확대하고, 청주 M15X의 생산능력을 조기에 극대화하는 한편 내년 2월 클린룸 가동을 시작하는 용인 1기 팹의 생산 기반도 신속히 확충해 나갈 것"이라고 말했다.