1c D램 월 최대 12만장 생산메모리 슈퍼사이클 선제 대응
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    삼성전자가 평택캠퍼스에 고대역폭메모리(HBM4) 대응을 위한 신규 D램 생산 라인을 구축하며 차세대 메모리 생산능력 확대에 나선다.

    5일 업계에 따르면 삼성전자는 평택캠퍼스 4공장(P4)에 10나노 6세대(1c) D램 생산 라인을 신설하는 방안을 추진하고 있다. 해당 라인은 내년 1분기까지 구축을 완료할 계획으로, 월 10만~12만장의 웨이퍼 생산이 가능한 규모로 알려졌다.

    1c D램은 6세대 고대역폭메모리인 HBM4에 탑재되는 최선단 제품이다. HBM4에는 총 12개의 1c D램이 적층되며, 고성능 AI 가속기와 데이터센터용 반도체의 핵심 부품으로 꼽힌다. 삼성전자는 올해 엔비디아와 AMD 등 글로벌 빅테크를 대상으로 HBM4 공급을 본격화할 계획이며, 이달 중 양산 공급이 예정된 것으로 전해졌다.

    이번 투자는 메모리 가격 반등 국면에서 캐파를 선제적으로 확대해 수요 급증에 대응하기 위한 포석으로 해석된다. 시장조사업체 카운터포인트리서치는 올해 1분기 메모리 가격이 전 분기 대비 80~90% 상승할 것으로 전망하고 있다.

    현재 삼성전자의 D램 웨이퍼 생산능력은 월 약 66만장 수준으로 알려져 있다. 이번 신규 라인이 가동될 경우 삼성전자는 1년 만에 D램 생산 캐파를 최대 18%까지 확대하게 된다.

    삼성전자는 앞서 지난해 4분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 “올해 설비투자는 전년 대비 상당한 수준으로 증가할 계획”이라며 “신규 팹과 클린룸 선행 확보를 마친 만큼 이를 활용한 설비 투자가 본격화될 것”이라고 밝힌 바 있다.