SK하이닉스 "내년 HBM4E 양산… 혁신적 패키징 자신있다"

SK하이닉스가 가 7세대 고대역폭메모리(HBM) 제품인 HBM4E와 관련해 고객 요구에 맞는 맞춤형 전략으로 시장 입지를 강화하겠다고 밝혔다. 

이강욱 SK하이닉스 PKG(패키징)개발 담당 부사장 3일(현지시간) 대만 타이베이 난강전시장에서 열린 ‘이종집적 글로벌 서밋(Heterogeneous Integration Global Summit) 2024’에서 ‘AI 시대를 위한 HBM과 어드밴스드 패키징 기술’이란 주제로 발표에 나서 “응용 제품에 따라 다르지만 고대역폭 메모리(HBM) 세대가 발전하면서 훈련, 추론 인공지능(AI) 서버에 탑재되는 평균 채택 숫자는 더 늘어날 것”이라고 강조했다.

HBM은 AI 칩의 필수 반도체다. 늘어나는 데이터 트래픽과 이로 인한 메모리의 시스템 병목 현상을 극복하기 위한 현존 최고 사양의 D램이 HBM이라는 게 이 부사장의 설명이다.

그는 “현재 양산되고 있는 8단과 12단 HBM3E는 초당 1.18TB 이상의 데이터를 처리하며 최대 36GB의 용량을 지원한다”면서 “HBM4부터 12, 16단 제품군을 갖추게 되면서 용량은 최대 48GB까지, 데이터 처리 속도는 초당 1.65TB 이상으로 성능이 발전할 전망”이라고 설명했다. 그러면서 “HBM4부터는 베이스 다이에 로직 공정을 적용함으로써, 성능 및 에너지 효율 향상을 기대하고 있다”고 덧붙였다. 

내년 SK하이닉스는 HBM4 12단 제품 출시를 앞두고 있다. 이 부사장은 “2025년에는 HBM4 12단 제품도 출시할 예정”이라며 “독자적으로 개발한 혁신적인 패키징 기술을 통해 HBM 제품의 에너지 효율과 열 방출 측면에서 압도적인 경쟁력을 갖추고 있다”고 했다.

SK하이닉스는 HBM3E 12단 제품에 어드밴스드 MR-MUF 패키징 기술을 적용해 양산하고 있다. 내년에 출하할 예정인 HBM4 12단 제품에도 어드밴스드 MR-MUF를 적용해 양산할 계획이다. HBM4 16단은 어드밴스드 MR-MUF와 하이브리드 본딩 방식 모두에 대한 준비를 하고 있고, 고객에 부합하는 최적의 방식을 선택하겠다는 계획이다.

이 부사장은 “최근 연구에서 16단 제품에 대한 어드밴스드 MR-MUF 기술 적용 가능성을 확인했다”며 “하이브리드 본딩 기술을 적용할 경우 제품 성능, 용량 증가 및 열 방출 측면에서 장점이 있지만 기술 완성도 및 양산 인프라 준비 측면에서 해결해야 할 여러 선결 과제들이 있다”고 말했다. 이에 따라 두 가지 방식에 대한 기술 완성도를 높여, 메모리 고용량을 원하는 빅테크 등 고객의 요구에 대응하겠다는 구상이다.

SK하이닉스는 HBM4 외에도 차세대 제품 개발을 준비 중이다. 이 부사장은 “대역폭, 용량, 에너지 효율 측면에서의 기술적 난제들을 해결하기 위한 2.5D 및 3D 시스템 인 패키지(SiP) 패키징 등을 포함해 다양한 대응 방안을 검토하고 있다”며 “HBM4E부터는 맞춤형(커스텀) 성격이 강해질 것으로 예상돼 다양한 고객 요구에 효율적으로 대응하기 위한 생태계 구축 관점에서도 글로벌 파트너들과의 협력을 강화해 가고 있다”고 강조했다.