HBM4 사업 윤곽 … 전영현 표 '선택과 집중' 통했다

삼성전자가 차세대 고대역폭메모리(HBM4)에서 본격적인 양산 준비에 돌입하며 그동안 공들여온 '전영현 체제'의 선택과 집중 전략이 결실을 맺고 있다. 6세대 HBM인 HBM4가 최근 PRA(Production Readiness Approval·생산준비승인)를 통과하면서 삼성전자는 엔비디아 공급망 진입에 속도를 낼 수 있는 기반을 갖췄다.

3일 업계에 따르면 삼성전자는 1c 기반 DRAM 품질 완성도 강화, 4나노 로직 기반 베이스다이 성능 개선, TSV 정렬 정확도 향상 등 주요 기술 요소를 안정권에 올려 PRA를 확보했다.

PRA는 사실상 내부 양산 허가에 해당하는 단계로 고객 품질 테스트 통과 가능성이 대폭 높아지는 '마지막 관문'으로 통한다.

이번 PRA 통과는 전영현 부회장이 지난해 DS부문장 취임 이후 줄곧 추진해 온 HBM 경쟁력 회복 전략의 핵심 성과로 평가된다. 삼성전자는 지난해 말부터 발열·전력 문제로 발목이 잡혔던 HBM3E 재설계를 단행해 엔비디아 인증을 따냈고, 올해 하반기에는 구글 TPU용 HBM 공급량까지 끌어올리며 분위기 반전에 성공했다.

삼성전자는 최근 조직 개편에서 HBM개발팀을 DRAM 개발실 산하 설계조직으로 재편했다. 전 부회장 취임과 함께 만들어진 조직이 소기의 역할을 마친 뒤, 향후 HBM4 이후 제품 개발을 위해 보다 효율적인 조직 체계로 옮겨간 것이다.

업계에서는 이 같은 조치가 삼성전자가 HBM 개발의 병목을 해소하면서도 중복 조직을 정리해 개발·양산·품질 체계를 일원화하기 위한 결정으로 해석하고 있다. HBM4의 기술적 요건이 DRAM 미세공정·TSV·베이스다이 설계 등 메모리·파운드리 기술을 모두 아우르는 만큼 개발 파이프라인 통합이 더 효과적이라는 판단이 작용했다는 분석이다.

HBM4가 어느정도 양산 궤도에 오른 만큼 내년 시장에서는 삼성전자와 SK하이닉스의 경쟁 구도가 본격적으로 재편될 것이라는 전망이 나온다. HBM4는 엔비디아 차세대 GPU '루빈(Rubin)'의 핵심 부품으로 주요 고객사들은 연내 품질 인증을 순차적으로 마무리할 예정이다.

엔비디아향 HBM3E 품질 인증 확보, 구글 TPU용 HBM 공급 확대 등 올해 확보한 동력이 HBM4 경쟁까지 이어질 경우 삼성전자는 내년 HBM 시장에서 SK하이닉스와 사실상 양강 구도를 형성할 가능성이 높다는 관측이 우세하다.

삼성전자는 이번 PRA 통과를 기반으로 고객사 인증이 나오는 즉시 대량 생산 체제를 가동할 계획이다. 전영현 부회장은 앞서 "기술의 본질과 품질의 완성도에 집중해 근원적 경쟁력을 회복하겠다"고 밝힌 바 있다. HBM4가 삼성전자 반도체 부문의 본격 반등을 이끌 '키 제품'이 될지 주목된다.

반도체 업계 관계자는 "PRA 확보는 고객사 퀄 통과를 사실상 앞당긴다는 의미"라며 "삼성전자가 올해 재설계를 통한 HBM3E 성능 개선에 성공한 데 이어 HBM4에서도 일정과 기술 완성도를 맞추면서 내년 시장 판도에 영향을 줄 수 있을 것"이라고 말했다.