HBM 고적층 겨냥 0.1μm 초정밀 정렬 구현TC본더 올해 두 차례 수주 … 실적 반등 견인R&D 50% 확대 … 분할 이후 투자·시너지 기대
  • ▲ 한화세미텍 2세대 하이브리드본더 ‘SHB2 Nano’ⓒ한화세미텍
    ▲ 한화세미텍 2세대 하이브리드본더 ‘SHB2 Nano’ⓒ한화세미텍
    한화세미텍이 2세대 하이브리드본더 'SHB2 Nano' 개발을 완료하고 상반기 중 고객사 테스트에 돌입한다. TC본더 흑자 전환에 이어 차세대 패키징 핵심 장비까지 확보하며 반도체 장비 포트폴리오를 확대하는 전략이다.

    한화세미텍이 2세대 하이브리드본더 'SHB2 Nano' 개발을 완료했다고 25일 밝혔다.

    한화세미텍이 공개한 'SHB2 Nano'는 칩과 칩을 구리(Cu) 표면에 직접 접합하는 하이브리드본딩 기술을 적용한 장비다. 범프 없이 칩을 연결해 데이터 전송 속도를 높이고 전력 소모를 줄일 수 있어 인공지능(AI) 반도체용 고대역폭 메모리(HBM) 성능을 좌우할 차세대 공정으로 평가된다. 16~20단 이상의 고적층 HBM을 더 얇게 구현할 수 있는 점도 강점이다.

    이번 장비에는 위치 오차범위 0.1μm 수준의 초정밀 정렬 기술이 적용됐다. 이는 머리카락 굵기의 약 1000분의 1에 해당하는 수준이다. 회사는 2022년 1세대 하이브리드본더를 고객사에 납품한 데 이어 4년 만에 2세대 장비 개발에 성공하며 기술 고도화에 속도를 내고 있다. 상반기 중 고객사에 인도해 성능 테스트를 진행한 뒤 양산 시장 진입을 본격화할 계획이다.

    TC본더 사업도 성장세를 이어가고 있다. 대표 장비 'SFM5 Expert'는 지난해 900억원 이상의 매출을 기록했으며 올해 1월과 2월 두 차례 공급 계약을 체결했다. 지난해 3월 TC본더를 처음 공식 납품한 이후 약 1년 만에 반도체 부문이 흑자 전환에 성공했다는 점도 의미가 크다.

    회사는 본딩 헤드 크기를 확대한 2세대 TC본더와 칩 간 간격을 최소화한 플럭스리스 TC본더도 개발 중이다. 차세대 HBM 수요 확대에 맞춰 본딩 장비 라인업을 한층 강화하겠다는 전략이다.

    연구개발 투자도 확대하고 있다. 지난해 반도체 관련 R&D 비용은 전년 대비 50% 이상 증가했다. 현재 한화그룹이 추진 중인 인적 분할이 마무리되면 테크 솔루션 부문이 신설 지주사 아래 편입돼 투자 여력과 계열사 간 협업이 더욱 강화될 것으로 기대된다.

    한화세미텍 관계자는 "첨단 반도체 시장의 빠른 변화에 맞춰 선제적 기술 개발에 역량을 집중하고 있다"며 "지속적인 R&D 투자와 혁신을 통해 독보적 기술력을 갖춘 첨단 반도체 솔루션 기업으로 도약할 것"이라고 말했다.