삼성, HBM4 양산 1주 앞당기며 선공 … SK하이닉스와 주도권 경쟁 개막

삼성전자가 12일 6세대 고대역폭메모리(HBM4) 양산 출하를 시작했다. ‘세계 최초’ 타이틀을 먼저 거머쥐면서 SK하이닉스와 향후 주도권 경쟁은 더욱 치열해질 전망이다.

관전 포인트는 “얼마나 안정적으로, 제때 공급하느냐”로 모인다. AI(인공지능) 가속기 세대가 바뀔수록 HBM이 공급망 병목으로 부각되면서 납기와 양산 안정성이 경쟁력의 핵심 지표로 올라섰기 때문이다.

업계에 따르면 삼성은 당초 계획보다 1주 앞당겨 양산에 들어갔다. 고객사와의 협의 과정에서 일정이 당겨졌고, 엔비디아(고객사) 측이 물량을 빨리 달라고 요청했다는 전언도 나온다.

삼성전자는 HBM4가 국제반도체 표준협의기구(JEDEC) 표준 8Gbps(초당 기가비트)를 약 46% 상회하는 11.7Gbps 동작 속도를 안정적으로 확보했다고 밝혔다. 최대 13Gbps 구현 가능성도 함께 제시했다.

대역폭은 단일 스택 기준 최대 3.3TB/s로, 전작 HBM3E 대비 약 2.7배 수준이라고 설명했다.

용량은 12단 적층 기준 24GB~36GB이며, 고객 일정에 맞춰 16단 적층을 적용하면 최대 48GB까지 확장할 계획이다. 또 최선단 1c D램(10나노급 6세대)과 4나노 베이스 다이를 적용해 재설계 없이 양산 초기부터 수율·성능을 확보했다고 강조했다.

HBM4는 데이터 전송 입출력(I/O) 핀 수가 1024개에서 2048개로 늘면서 전력 소모와 열 집중 문제가 커질 수밖에 없다. 삼성은 코어 다이 저전력 설계와 TSV(실리콘 관통 전극) 저전압 설계, PDN(전력 분배 네트워크) 최적화를 통해 전 세대 대비 에너지 효율을 약 40% 개선했다고 밝혔다.

열저항 특성은 약 10%, 방열 특성은 약 30% 향상 수치도 함께 제시했다.

삼성의 메시지는 ‘속도’ 경쟁을 넘어, 데이터센터 전력·냉각 비용에 직결되는 전력·열 지표까지 함께 제시해 고객의 총소유비용(TCO) 부담을 낮추겠다는 쪽에 맞춰져 있다.

삼성전자는 HBM 수요 확대에 대비해 생산 능력을 선제적으로 확대하겠다고 밝혔다. 2026년 HBM 매출이 2025년 대비 3배 이상 증가할 것으로 보고 있으며, 2028년부터 본격 가동될 평택사업장 2단지 5라인을 HBM 생산의 핵심 거점으로 활용하겠다는 계획도 제시했다.

차세대 일정도 공개했다. 2026년 하반기 HBM4E 샘플 출하, 2027년 커스텀 HBM의 순차 샘플링을 예고했다.

업계 관계자는 "이번 HBM4 ‘세계 최초 출하’가 곧바로 ‘공급 신뢰 회복’으로 연결될지는 앞으로 분기별 물량 배정과 납기 이행에서 판가름 날 것으로 보인다"고 말했다.